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发明公开
半导体装置的制造方法以及半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN119730360A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202311660259.4

申请日：2023-12-06

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 兵头功 , 吉川大辉

IPC: H10D84/03 , H10D84/00 , H10D62/10 , H10D12/00 , H10D8/00

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。在一个实施方式的半导体装置的制造方法中，形成具有晶体管区域以及二极管区域的半导体部，通过从半导体部的上方照射的离子在二极管区域中的半导体部的下部形成第一寿命控制区域，通过从半导体部的上方穿过掩模而照射的离子在半导体部的上部以不与第一寿命控制区域重合的方式与第一寿命控制区域同时形成第二寿命控制区域。

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