公开(公告)号：CN101499399B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN101499399A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910126704.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 株式会社东芝 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 宇井明生 ,  玉置直树 ,  市川尚志 ,  林久贵 ,  上夏井健 ,  桧森慎司 ,  山田纪和 ,  大濑刚 ,  阿部淳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32045 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明涉及衬底等离子体处理设备和等离子体处理方法。一种衬底等离子体处理设备，包括设置在腔内的衬底支撑电极和对向电极；向所述衬底支撑电极施加50MHz或更高的高频的高频产生装置；以叠加在所述高频上的方式施加DC负脉冲电压的DC负脉冲产生装置；以及控制器，所述控制器进行控制以引起所述高频的断续施加并根据所述高频的开或关的时序引起所述DC负脉冲电压的断续施加。

公开(公告)号：CN1305353C

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN02824577.6

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 速水利泰 ,  大濑刚 ,  高平淳一 ,  岛田淳一

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 本发明提供一种高频电源，它能够通过高精度地除掉等离子体生成时产生的高次谐波成分或调制波成分而防止误动作，同时，对等离子体处理装置施加适当的高频功率。高频电源包括由方向性结合器(21)、混频器(22)、100kHz的低通滤波器(23)、低频检波器(24)、和振荡器(25)构成的功率监视器，通过混频器(22)将频率100MHz的高频波和由振荡器(25)振荡的频率99.9MHz的高频波相加，并通过低通滤波器(23)及低频检波器(24)将该输出变换成100kHz后进行检波，所述频率100MHz的高频波包含由方向性结合器(21)取出的调制波成分等。

公开(公告)号：CN1602651A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02824577.6

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 速水利泰 ,  大濑刚 ,  高平淳一 ,  岛田淳一

IPC: H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 提供一种高频电源，它能够通过高精度地除掉等离子体生成时产生的高次谐波成分或调制波成分而防止误动作，同时，对等离子体处理装置施加适当的高频功率。高频电源包括由方向性结合器21、混频器22、100kHz的低通滤波器23、低频检波器24、和振荡器25构成的功率监视器，通过混频器22将包含由方向性结合器21取出的调制波成分等频率100MHz的高频波和由振荡器25振荡的频率99.9MHz的高频波相加，并通过低通滤波器23及低频检波器24将该输出变换成100kHz后进行检波。