公开(公告)号：CN101378066A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810146361.1

申请日：2008-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鸟山周一 ,  松泽一也

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明公开了一种在晶体管沟道区域的相对横向表面上具有作为辅助电极的侧面电极以由此改善操作余量的NAND型电可擦可编程只读存储器(EEPROM)装置。也被称为NAND闪速存储器的NAND EEPROM在半导体衬底上具有包含存储单元晶体管的串行组合的存储单元的阵列。存储单元晶体管中的每一个具有一对源极和漏极区域、沟道区域、隧道绝缘体膜、电荷存储层、控制电介质膜、控制电极、沟道区域的侧面上的侧面电介质膜、以及在沟道区域的侧表面上形成使得沟道区域被横向插入其间的侧面电极。侧面电极被串行耦接的存储单元晶体管中的相邻存储单元晶体管共用或“共享”。

公开(公告)号：CN101378066B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200810146361.1

申请日：2008-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鸟山周一 ,  松泽一也

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明公开了一种在晶体管沟道区域的相对横向表面上具有作为辅助电极的侧面电极以由此改善操作余量的NAND型电可擦可编程只读存储器(EEPROM)装置。也被称为NAND闪速存储器的NANDEEPROM在半导体衬底上具有包含存储单元晶体管的串行组合的存储单元的阵列。存储单元晶体管中的每一个具有一对源极和漏极区域、沟道区域、隧道绝缘体膜、电荷存储层、控制电介质膜、控制电极、沟道区域的侧面上的侧面电介质膜、以及在沟道区域的侧表面上形成使得沟道区域被横向插入其间的侧面电极。侧面电极被串行耦接的存储单元晶体管中的相邻存储单元晶体管共用或“共享”。