公开(公告)号：CN101097947A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710127047.4

申请日：2007-06-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 太田千春 ,  西尾让司 ,  田山哲夫 ,  四户孝

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底(1)；第一导电类型的半导体层(2)，其形成在所述半导体衬底(1)上且具有有源区和包围该有源区的边缘终止区；第二导电类型的第一半导体区(8)，其形成在边缘终止区中与有源区的边缘相邻；第二导电类型的第二半导体区(7)，其以薄片状和网孔状掩埋在边缘终止区中且基本平行于半导体层(2)的表面；第一电极(3)，其形成在半导体层(2)的有源区以及第一半导体区(8)的一部分上；以及第二电极(4)，其形成在半导体衬底(1)的底表面上。