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公开(公告)号:CN1898766A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200480039063.2
申请日:2004-12-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种平面图像显示设备包括:彼此对置并在其间留有间隙的两块玻璃基板(11,12);以及密封部分(33),用于密封玻璃基板上预定的位置并定义两块玻璃基板之间的密封空间。该密封部分具有沿预定位置填充的低熔点金属(32)以及介于玻璃基板各自表面与低熔点金属之间的金属层(31a,31b),这两层金属层(31a,31b)由某一种金属构成,该金属具有对玻璃的接合性、对低熔点金属的亲合性以及对要在500摄氏度或更低的温度熔融的低熔点金属小于1%的溶解度。
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公开(公告)号:CN1663006A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN03814043.8
申请日:2003-07-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种图像显示装置的外壳,包括正面基板(11)和面对此正面基板配置的背面基板(12),利用含有导电性粘结材料的粘结层(21)粘结正面基板及背面基板的整个边缘部。在外壳中,安装用于对粘结层通电的电极(30)。电极由导电构件形成,与粘结层电接触,同时具有露出在外部的导通部(38)。
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公开(公告)号:CN1653578A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN03809164.X
申请日:2003-06-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J9/185 , H01J5/24 , H01J9/261 , H01J9/40 , H01J29/86 , H01J2329/00 , H01J2329/8675
Abstract: 图像显示装置的真空外壳(10)包括相对地配置的背面基片(12)和前面基片(11)。在真空外壳内设置着多个电子发射元件(22)。前面基片和上述背面基片利用封接材料(32)来封接各周边部。前面基片和背面基片中的至少一基片具有进行改性处理、同时利用封接材料封接的封接面(32、33)。
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公开(公告)号:CN1799116A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200480015470.X
申请日:2004-06-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J9/261 , H01J29/86 , H01J31/127
Abstract: 包括彼此相向放置的前基板(11)和背基板(12)的图像显示装置以及将前基板和背基板各自的外围边缘部分封接在一起的封接部(40)的真空外壳(10)。所述封接部包括框架(13)和沿前基板和背基板外围边缘部分延展的密封材料(32)。所述框架有由金属形成的芯构件(15)和覆盖芯构件表面的金属涂层(17)。
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公开(公告)号:CN1751371A
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN200480004236.7
申请日:2004-01-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种平板显示设备的真空外壳(10),包括彼此相对的前基片(11)和后基片(12)和在前基片和后基片的各自外围部分之间所设置的一个矩形框架主体(13)。该框架主体具有从各角部分向外突出的突出部分(18a、18b、18c、18d)。在制造中,夹住该突出部分并向外拉,相对于基片定位该框架主体并用加至框架主体各边的纵向张力将框架主体接合至基片。
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公开(公告)号:CN1926656A
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200580006538.2
申请日:2005-02-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J31/123 , H01J5/22 , H01J2209/26
Abstract: 在FED的前侧基板(11)的周缘上形成有用于密封侧壁的矩形框状的密封表面(11a)。在密封表面(11a)上,通过底层(31)形成铟层(32)。在铟层(32)的四个角部,连接用于施加电流的电极(34)。铟层(32)被形成为具有从密封表面(11a)各边的大致中央位置向相邻角部逐渐减小的宽度。
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公开(公告)号:CN1894764A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200480037253.0
申请日:2004-12-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01J9/261 , H01J29/863 , Y10T428/31663
Abstract: 一种图像显示器,包括彼此相对设置、在它们之间具有间隙的两块基板(11,12)以及在基板的预定位置密封基板和限定基板之间气密密封的间隔的真空密封单元(33)。真空密封单元(33)包括由沿着预定位置填充的密封材料构成的密封层(32)。该密封材料具有不大于400℃的熔点,以及在凝固时以+0.5%到-2.5%的量收缩。
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