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公开(公告)号：CN100541663C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200610073510.7
申请日：2006-04-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/28 , G11C11/5642 , G11C16/3445 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 基准电流生成电路生成至少1个基准电流。电压生成电路生成电压。读出放大器根据从电压生成电路供给的电压来比较流过存储单元的电流与从基准电流生成电路供给的基准电流。对控制部供给读出放大器的输出信号。控制部在校验存储单元的阈值电压时，使电压生成电路生成与在从存储单元读出数据时所生成的读出电压为同一电压的校验电压。
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公开(公告)号：CN1267890A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00104076.6
申请日：2000-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/107 , G11C16/30 , G11C16/3409 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C16/3477
Abstract: 电位发生电路生成2种擦除校验阈值EVT1、EVT2且EVT2=EVT1+(OEVT－EVTL)。OEVT是过擦除阈值。将擦除校验阈值设定为EVT2时的擦除后的阈值电压分布的下限比OEVT还高。EVTL是将擦除校验阈值设置成EVT1时的擦除后的阈值电压分布的下限比OEVT还低。擦除校验阈值EVT1、EVT2,分别对应动作模式使用。例如,在写入/擦除测试时,将擦除校验阈值设定为EVT2。在通常动作时,将擦除校验阈值设定EVT1。
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公开(公告)号：CN1848294A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610073510.7
申请日：2006-04-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/28 , G11C11/5642 , G11C16/3445 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 基准电流生成电路生成至少1个基准电流。电压生成电路生成电压。读出放大器根据从电压生成电路供给的电压来比较流过存储单元的电流与从基准电流生成电路供给的基准电流。对控制部供给读出放大器的输出信号。控制部在校验存储单元的阈值电压时，使电压生成电路生成与在从存储单元读出数据时所生成的读出电压为同一电压的校验电压。
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公开(公告)号：CN1123892C
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN00104076.6
申请日：2000-03-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/107 , G11C16/30 , G11C16/3409 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C16/3477
Abstract: 电位发生电路生成2种擦除校验阈值EVT1、EVT2且EVT2＝EVT1+(OEVT-EVTL)。OEVT是过擦除阈值。将擦除校验阈值设定为EVT2时的擦除后的阈值电压分布的下限比OEVT还高。EVTL是将擦除校验阈值设置成EVT1时的擦除后的阈值电压分布的下限比OEVT还低。擦除校验阈值EVT1、EVT2，分别对应动作模式使用。例如，在写入/擦除测试时，将擦除校验阈值设定为EVT2。在通常动作时，将擦除校验阈值设定EVT1。
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