公开(公告)号：CN103715151A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310511900.8

申请日：2013-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 本间恭子 ,  下川一生

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括在主表面上的多个电极、覆盖半导体元件的侧表面的至少一部分的密封树脂、以及形成在半导体元件的主表面、半导体元件的侧表面的一部分和密封树脂上的第一绝缘层。该第一绝缘层具有形成在其中的第一开口以允许通过第一开口暴露出在主表面上的多个电极，以及设置在侧表面的一部分上的倒角。该半导体元件还包括布线层和第二绝缘层，该布线层以电连接到多个电极的方式形成在第一开口中，并还形成在第一绝缘层上；该第二绝缘层具有形成在第一绝缘层和布线层上的第二开口。

公开(公告)号：CN105986289B

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201610132738.2

申请日：2016-03-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 樋口和人 ,  浅野佑策 ,  本间恭子 ,  平栗一磨 ,  浮田康成 ,  内田雅之 ,  中山俊弥 ,  町野真由美 ,  曾根正人 ,  张坐福

IPC: C25D5/00 ,  C25D17/00

Abstract: 本发明的实施方式涉及电镀方法和电镀装置。通过上述电镀方法，即使阴极的电流密度为高电流密度，被镀膜的膜厚分布也小，能够大幅地提高镀覆的成膜速度。根据上述电镀方法，其是通过对于设置在反应槽中的阳极和阴极使所述阴极的电位为负从而在阴极表面上生成金属膜的电镀方法，其中，在所述反应槽中混合并收容至少含有被镀金属离子、电解质和表面活性剂的镀液以及超临界流体，以由所述被镀金属离子还原时的阴极极化曲线得到的极化电阻变得比不含有所述超临界流体时大的方式设定超临界流体浓度和阴极电流密度。

公开(公告)号：CN105986289A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610132738.2

申请日：2016-03-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 樋口和人 ,  浅野佑策 ,  本间恭子 ,  平栗一磨 ,  浮田康成 ,  内田雅之 ,  中山俊弥 ,  町野真由美 ,  曾根正人 ,  张坐福

IPC: C25D5/00 ,  C25D17/00

Abstract: 本发明的实施方式涉及电镀方法和电镀装置。通过上述电镀方法，即使阴极的电流密度为高电流密度，被镀膜的膜厚分布也小，能够大幅地提高镀覆的成膜速度。根据上述电镀方法，其是通过对于设置在反应槽中的阳极和阴极使所述阴极的电位为负从而在阴极表面上生成金属膜的电镀方法，其中，在所述反应槽中混合并收容至少含有被镀金属离子、电解质和表面活性剂的镀液以及超临界流体，以由所述被镀金属离子还原时的阴极极化曲线得到的极化电阻变得比混合所述超临界流体之前大的所述超临界流体浓度和阴极电流密度施加电流。