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公开(公告)号：CN106066574A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510549468.0
申请日：2015-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。根据一个实施例，首先，在处理对象膜上形成由第一辐射敏感性组合物制成的第一抗蚀剂膜。然后，对第一抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案。之后，执行不溶解处理以使第一抗蚀剂图案不溶于第二辐射敏感性组合物的溶剂。接着，在第一抗蚀剂图案上形成由第二辐射敏感性组合物制成的第二抗蚀剂膜。接着，对第二抗蚀剂膜执行曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。第一辐射敏感性组合物和第二辐射敏感性组合物中的至少一者由对等离子体蚀刻时存在的氧具有耐受性的高分子化合物制成。
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