公开(公告)号：CN101136437A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710148535.3

申请日：2007-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新宮昌生 ,  木下敦宽 ,  土屋义规

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/7851

Abstract: 半导体器件及其制造方法。本发明公开一种通过电极的接触电阻和电极本身的电阻的减小而具有增强性能的具有场效应晶体管(FET)的半导体器件。该FET包括n型FET，其具有在半导体衬底中形成的通道区，绝缘地覆盖通道区的栅电极，以及在通道区的两端形成的一对源和漏电极。源/漏电极由第一金属的硅化物制成。包含第二金属的界面层在衬底和第一金属之间的界面中形成。第二金属的功函数小于第一金属的硅化物的功函数，并且第二金属硅化物的功函数小于第一金属硅化物的功函数。本发明还公开了半导体器件的制造方法。