公开(公告)号：CN1099125C

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN96195427.2

申请日：1996-06-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇田英一郎 ,  樋口敏春 ,  中村修 ,  小山生代美 ,  松本贞雄 ,  大内义昭 ,  小林一雄 ,  须藤孝 ,  本间克久

IPC: H01J1/28 ,  H01J1/14 ,  H01J9/04 ,  H01J29/04 ,  H01J23/04

CPC classification number: H01J23/087 ,  H01J1/28 ,  H01J9/042 ,  H01J23/04 ,  H01J2223/04

Abstract: 一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件，它包括：大粒径低孔隙率区域；和小粒径高孔隙率区域，其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。

公开(公告)号：CN1190488A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN96195427.2

申请日：1996-06-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇田英一郎 ,  樋口敏春 ,  中村修 ,  小山生代美 ,  松本贞雄 ,  大内义昭 ,  小林一雄 ,  须藤孝 ,  本间克久

IPC: H01J1/28 ,  H01J1/14 ,  H01J9/04 ,  H01J29/04 ,  H01J23/04

CPC classification number: H01J23/087 ,  H01J1/28 ,  H01J9/042 ,  H01J23/04 ,  H01J2223/04

Abstract: 一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件,它包括:大粒径低孔隙率区域;和小粒径高孔隙率区域,其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。