发明授权
- 专利标题： 浸渍型阴极组件及所用的阴极基体、采用这种组件的电子枪组件和电子管
- 专利标题（英）： Impregnated cathode structure, cathode substrat used for structure, electron gun structure using cathode structure, and electron tube
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申请号： CN96195427.2申请日： 1996-06-06
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公开(公告)号： CN1099125C公开(公告)日： 2003-01-15
- 发明人: 宇田英一郎 , 樋口敏春 , 中村修 , 小山生代美 , 松本贞雄 , 大内义昭 , 小林一雄 , 须藤孝 , 本间克久
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 杜日新
- 优先权： 143127/1995 1995.06.09 JP
- 国际申请： PCT/JP1996/01527 1996.06.06
- 国际公布： WO1996/42100 JA 1996.12.27
- 进入国家日期： 1998-01-09
- 主分类号： H01J1/28
- IPC分类号： H01J1/28 ; H01J1/14 ; H01J9/04 ; H01J29/04 ; H01J23/04
摘要：
一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件，它包括：大粒径低孔隙率区域；和小粒径高孔隙率区域，其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。
公开/授权文献
- CN1190488A 浸渍型阴极组件及所用的阴极基体、采用这种组件的电子枪组件和电子管 公开/授权日：1998-08-12
