公开(公告)号：CN1196194C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN02100948.1

申请日：2002-01-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大冢伸朗 ,  矢部友章

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0814

Abstract: 一种静电破坏保护电路，包括：由被偏置为基准电位的第1导电类型的衬底、在上述衬底的表面部分上形成的第2导电类型的阱区、在上述阱区的表面部分上形成的第1导电类型的第1扩散区以及形成在上述阱区中的第2导电类型的第2扩散区构成的多个二极管，上述第1扩散区和上述第2扩散区在上述多个二极管之间相互连接，以及上述多个二极管具有2种以上的尺寸，且被构成为彼此进行级联连接。

公开(公告)号：CN1366339A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN02100948.1

申请日：2002-01-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大冢伸朗 ,  矢部友章

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0814

Abstract: 一种半导体器件,包括:由被偏置为基准电位的第1导电类型的衬底、在上述衬底的表面上形成的第2导电类型的阱区、在上述阱区的表面部分上形成的第1导电类型的第1扩散区构成的多个二极管,上述多个二极管具有2种以上的尺寸且被构成为彼此进行级联连接。