公开(公告)号：CN1655372A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510054194.4

申请日：2005-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安田秀文 ,  加藤夕子 ,  古川和由

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  H01L33/46

Abstract: 一种半导体发光器件，包括：衬底，具有第一主表面和第二主表面；发光层，设置在衬底的第一主表面上的第一部分中；第一电极，设置在发光层上；第二电极，设置在衬底的第一主表面上的第二部分中，其中第二部分与第一部分不同；以及突起，设置在衬底的第二主表面上，其中突起具有平面形状，该平面形状反映了发光层的发光区的平面形状，发光区夹在第一电极和第二电极之间。

公开(公告)号：CN1983614A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610063960.8

申请日：2006-10-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤夕子 ,  安田秀文 ,  古川和由

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置，包括：具有第一主面和在与上述第一主面相对的一侧的第二主面的透明层；在上述透明层的上述第一主面上至少一条线地设置的多个发光部，该多个发光部中的每一个具有活性层和锥形部，该锥形部将从上述活性层发出的光向上述透明层的方向反射，该多个发光部中的每一个在上述透明层的第二主面上具有中心部分和周边部分并且具有光强度分布，在上述透明层的上述第二主面上，与上述周边部分相对的区域的光强度等于或大于与上述中心部分相对的区域的光强度；以及在上述透明层的上述第二主面上、与上述中心部分相对地设置的多个接触部，该多个接触部中的每一个对于上述多个发光部的发射波长是不透明的。

公开(公告)号：CN1347160A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01132996.3

申请日：2001-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 赤池康彦 ,  古川和由

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/305

Abstract: 防止p掺杂剂向有源层扩散,抑制非发光中心的形成,实现高辉度化和稳定化。发光二极管具备由用n型和p型的包层12、14把有源层13夹在中间的III－V族化合物半导体构成的双异质结构造部分;直接键合到p型包层14上的p型GaP衬底20;在上述p型包层14与p型GaP衬底20之间形成的由InGaAIP构成的Zn扩散防止层15,Zn扩散防止层15同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si,在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时,满足Na>Nd,且Nd>2×1017cm－3。

公开(公告)号：CN1199291C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01132996.3

申请日：2001-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 赤池康彦 ,  古川和由

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/305

Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件，具备：由用n型和p型的包覆层(12、14)把有源层(13)夹在中间的III-V族化合物半导体构成的双异质结构造部分；直接键合到p型包覆层(14)上的p型GaP衬底(20)；在上述p型包覆层(14)与p型GaP衬底(20)之间形成的由InGaAlP构成的Zn扩散防止层(15)，Zn扩散防止层(15)同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si，在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时，满足Na＞Nd，且Nd＞2×1017cm-3。能防止p掺杂剂向有源层扩散，抑制非发光中心的形成，实现高辉度化和稳定化。