公开(公告)号：CN104022117A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201310349323.7

申请日：2013-08-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 前田竹识

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种容易制造且薄型的层叠型半导体装置。其特征在于，包括：多个半导体芯片1a～1h的芯片层叠体1；支持体20，层叠于这个芯片层叠体1的最上层的半导体芯片1h上；树脂封装30，将芯片层叠体1密封，以使这个支持体20的一主面20A全部露出，并且，包围与这个主面20A相邻的侧面20S。

公开(公告)号：CN104425292A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310721866.7

申请日：2013-12-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 前田竹识 ,  川户雅敏 ,  松岛良二 ,  福田昌利

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂。本发明的实施方式提供能够对片状树脂的溶融不均匀化及由摆动所引起的外观质量下降中的至少一方进行抑制的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括：准备具有凹部的片状树脂（1）的步骤；在压缩成形用的第1模具内配置设置有半导体芯片（18）的基板（19）的步骤；在压缩成形用的第2模具内将具有凹部的片状树脂（1）配置为与半导体芯片（18）相对的步骤；对具有凹部的片状树脂（1）进行加热的步骤；使第1模具和第2模具接近、使半导体芯片（18）浸渍于加热而溶融了的溶融树脂中以进行压缩成形，从而用溶融树脂的固化物对半导体芯片（18）进行密封。