公开(公告)号：CN102687276A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080046474.X

申请日：2010-02-17

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 西村良和 ,  山本浩史 ,  内野猛善

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由于在超出击穿电压的反向偏压时电流向阳极区域的曲线部集中而产生热破坏的PIN二极管。本发明的PIN二极管由以下构成：由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成的半导体基板(11)；形成在N+半导体层(1)的外表面上的阴极电极(18)；从N-半导体层(2)的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域(16)、分离阳极区域(15)以及阳极连接区域；和形成在主阳极区域(16)上的阳极电极(17)。主阳极区域(16)具有4边由直线部(B4)构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部(B3)构成的大致矩形的外缘，分离阳极区域(15)沿着主阳极区域(16)的外缘形成为环状，阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的分离阳极区域(15)的内缘以及主阳极区域(16)的直线部(B4)中的任意一方突出出来与另一方点接触。

公开(公告)号：CN102714226A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080046449.1

申请日：2010-02-16

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 西村良和 ,  山本浩史 ,  内野猛善

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638

Abstract: 本发明目的在于，低价提供一种提高雪崩耐量的PIN二极管。本发明的PIN二极管具备：半导体基板(11)，其由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成；P型的阳极区域(15)，其通过针对N-半导体层(2)的外表面的选择性的杂质扩散而形成；以及阳极电极(17)，其经由阳极区域(15)内的接触区域(17c)而与阳极区域(15)导通。阳极区域(15)具有4边由直线部(B2)构成且4顶点由曲线部(B2)构成的大致矩形的外缘，在接触区域(17c)的外侧，分别形成沿着曲线部(B1)而延伸的N型的非扩散角部区域(16)。由此，如果雪崩电流从曲线部(B1)上的击穿部位迂回流入高电阻的非扩散角部区域(16)，则沿着曲线部(B1)产生电压下降，由此能够使击穿部位向直线部(B2)移动。

公开(公告)号：CN102687276B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201080046474.X

申请日：2010-02-17

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 西村良和 ,  山本浩史 ,  内野猛善

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由于在超出击穿电压的反向偏压时电流向阳极区域的曲线部集中而产生热破坏的PIN二极管。本发明的PIN二极管由以下构成：由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成的半导体基板(11)；形成在N+半导体层(1)的外表面上的阴极电极(18)；从N-半导体层(2)的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域(16)、分离阳极区域(15)以及阳极连接区域；和形成在主阳极区域(16)上的阳极电极(17)。主阳极区域(16)具有4边由直线部(B4)构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部(B3)构成的大致矩形的外缘，分离阳极区域(15)沿着主阳极区域(16)的外缘形成为环状，阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的分离阳极区域(15)的内缘以及主阳极区域(16)的直线部(B4)中的任意一方突出出来与另一方点接触。

公开(公告)号：CN102714226B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201080046449.1

申请日：2010-02-16

Applicant: 株式会社三社电机制作所

Inventor： 西村良和 ,  山本浩史 ,  内野猛善

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638

Abstract: 本发明目的在于，低价提供一种提高雪崩耐量的PIN二极管。本发明的PIN二极管具备：半导体基板(11)，其由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成；P型的阳极区域(15)，其通过针对N-半导体层(2)的外表面的选择性的杂质扩散而形成；以及阳极电极(17)，其经由阳极区域(15)内的接触区域(17c)而与阳极区域(15)导通。阳极区域(15)具有4边由直线部(B2)构成且4顶点由曲线部(B2)构成的大致矩形的外缘，在接触区域(17c)的外侧，分别形成沿着曲线部(B1)而延伸的N型的非扩散角部区域(16)。由此，如果雪崩电流从曲线部(B1)上的击穿部位迂回流入高电阻的非扩散角部区域(16)，则沿着曲线部(B1)产生电压下降，由此能够使击穿部位向直线部(B2)移动。