公开(公告)号：CN103339828A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280007756.8

申请日：2012-01-23

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 長井亮 ,  小田仁

IPC: H02K1/18

CPC classification number: H02K1/12 ,  H02K1/146 ,  H02K1/148 ,  H02K15/00 ,  H02K15/022 ,  H02K2201/09 ,  H02K2213/03 ,  Y10T29/49009

Abstract: 本发明提供一种层积铁芯及其制造方法，该层积铁芯能够确保其每个铁芯片的层积强度，提供良好的磁效率并降低损耗。层积铁芯(10)包括第一填塞部(14)和第二填塞部(16)，该第一填塞部(14)形成在如下区域中：穿过该区域的磁通密度高压穿过其他区域的磁通密度，该第二填塞部(16)形成在所述其他区域中。在该层积铁芯(10)中，将在层积方向上彼此邻接的分割铁芯片(12)的第一填塞部(14)的凹进子部(14a)与突出子部(14b)的接合面积（A）设定成小于在层积方向上彼此邻接的第二填塞部(16)的凹进子部(16a)与突出子部(16b)的接合面积（B）。

公开(公告)号：CN103339828B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280007756.8

申请日：2012-01-23

Applicant: 株式会社三井高科技

Inventor： 長井亮 ,  小田仁

IPC: H02K1/18

CPC classification number: H02K1/12 ,  H02K1/146 ,  H02K1/148 ,  H02K15/00 ,  H02K15/022 ,  H02K2201/09 ,  H02K2213/03 ,  Y10T29/49009

Abstract: 本发明提供一种层积铁芯及其制造方法，该层积铁芯能够确保其每个铁芯片的层积强度，提供良好的磁效率并降低损耗。层积铁芯(10)包括第一填塞部(14)和第二填塞部(16)，该第一填塞部(14)形成在如下区域中：穿过该区域的磁通密度高压穿过其他区域的磁通密度，该第二填塞部(16)形成在所述其他区域中。在该层积铁芯(10)中，将在层积方向上彼此邻接的分割铁芯片(12)的第一填塞部(14)的凹进子部(14a)与突出子部(14b)的接合面积（A）设定成小于在层积方向上彼此邻接的第二填塞部(16)的凹进子部(16a)与突出子部(16b)的接合面积（B）。