公开(公告)号：CN110494960B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201880024560.7

申请日：2018-03-20

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 森田博志 ,  颜畅子

IPC: H01L21/304 ,  C02F1/42 ,  C02F1/58

Abstract: 洗净水供给装置，其包括：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质，来制造洗净水；洗净水线路(3)，其用于流通洗净水；洗净机(5A～5N)，其由该洗净水线路(3)供给洗净水；溶质去除部(4)，其由洗净水线路(3)导入剩余的洗净水；及回收线路(6)，其用于将溶质已被去除的回收水送回至槽等。

公开(公告)号：CN110249411A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201680090904.5

申请日：2016-12-05

Applicant: 校际微电子中心 ,  栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子 ,  永井达夫 ,  法里德·赛巴伊 ,  库尔特·沃斯汀

IPC: H01L21/304

Abstract: 在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。

公开(公告)号：CN110225889B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201780084661.9

申请日：2017-09-12

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 藤村侑 ,  颜畅子

IPC: H01L21/304

Abstract: 稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。

公开(公告)号：CN110249411B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201680090904.5

申请日：2016-12-05

Applicant: 校际微电子中心 ,  栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子 ,  永井达夫 ,  法里德·赛巴伊 ,  库尔特·沃斯汀

IPC: H01L21/304

Abstract: 在制造半导体装置时的Ge、SiGe或锗化物层的洗涤工序中，不会溶解Ge、SiGe或锗化物而有效率地洗涤去除抗蚀剂、金属残渣。洗涤液使用硫酸浓度为90重量％以上且氧化剂浓度为200g/L以下的硫酸溶液。洗涤液可举出：将硫酸溶液电解而得到的电解液、将酸溶液混合过氧化氢而得到的溶液、或使臭氧气体溶解于硫酸溶液而得到的溶液，洗涤时的处理温度优选为50℃以下。

公开(公告)号：CN110494959A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880024524.0

申请日：2018-03-20

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 森田博志 ,  颜畅子

IPC: H01L21/304

Abstract: 洗净水供给装置，其具有：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质来制造洗净水；洗净水的贮留槽(4)；洗净机(5A～5N)，其由贮留槽(4)供给洗净水；及，控制器(2a)，其以贮留槽(4)内的水位成为预定范围的方式控制洗净水制造部(2)。

公开(公告)号：CN109715568A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780056577.6

申请日：2017-03-14

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 藤村侑 ,  颜畅子 ,  床嶋裕人

IPC: C02F1/68 ,  B01D19/00 ,  B01F1/00 ,  B01F5/06 ,  B01J23/42 ,  B08B3/08 ,  C02F1/20 ,  C02F1/58 ,  H01L21/304

Abstract: 一种稀释药液的制造装置，其具有下述构成：在超纯水W供给线(1)上具有负载有铂族金属的树脂柱(2)和膜式脱气装置(3)和气体溶解膜装置(4)，在负载有铂族金属的树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有洗涤药液的注入装置(5)。在膜式脱气装置(3)的气相侧连接着非活性气体源(6)并且在气体溶解膜装置(4)的气相侧也连接着非活性气体源(7)，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。基于该稀释药液的制造装置，能够在半导体洗涤时的洗涤工序中，安全地制造/供给已去除溶解氧以及溶解过氧化氢这两者的稀释药液。

公开(公告)号：CN116057674A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180058848.8

申请日：2021-03-18

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的晶片清洗水供给装置(1)具有：由从供给路(5)供给的超纯水(W)制备晶片清洗水(W1)的晶片清洗水制造部(2)；该制备的晶片清洗水的贮留槽(3)；以及将贮留在该贮留槽(3)中的晶片清洗水(W1)向清洗机(4)的清洗喷嘴(4A)供给的晶片清洗水供给配管(6)。该晶片清洗水供给配管(6)在清洗机(4)侧距清洗喷嘴(4A)的前端距离(t)处分支，与回送配管(7)连接，能将清洗机(4)中剩余的晶片清洗水(W1)回送至贮留槽(3)。这样的晶片清洗水供给装置能削减剩余的晶片清洗水。

公开(公告)号：CN110494959B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201880024524.0

申请日：2018-03-20

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 森田博志 ,  颜畅子

IPC: H01L21/304

Abstract: 洗净水供给装置，其具有：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质来制造洗净水；洗净水的贮留槽(4)；洗净机(5A～5N)，其由贮留槽(4)供给洗净水；及，控制器(2a)，其以贮留槽(4)内的水位成为预定范围的方式控制洗净水制造部(2)。

公开(公告)号：CN110494960A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880024560.7

申请日：2018-03-20

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 森田博志 ,  颜畅子

IPC: H01L21/304 ,  C02F1/42 ,  C02F1/58

Abstract: 洗净水供给装置，其包括：超纯水线路(1)，其以定量流通超纯水；制造部(2)，其在该超纯水线路定量添加溶质，来制造洗净水；洗净水线路(3)，其用于流通洗净水；洗净机(5A～5N)，其由该洗净水线路(3)供给洗净水；溶质去除部(4)，其由洗净水线路(3)导入剩余的洗净水；及回收线路(6)，其用于将溶质已被去除的回收水送回至槽等。

公开(公告)号：CN110291046A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201780086348.9

申请日：2017-09-12

Applicant: 栗田工业株式会社

Inventor： 颜畅子 ,  藤村侑

IPC: C02F1/68 ,  B01D19/00 ,  B01D61/00 ,  B01F1/00 ,  B01F3/04 ,  C02F1/20 ,  C02F1/58

Abstract: 本发明的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，在超纯水(W)的供给线(1)上设有铂族金属负载树脂柱(2)，在此后段具备pH调节剂注入装置(3A)和氧化还原电位调节剂注入装置(3B)。在此装置(3A、3B)的后段依次具有膜式脱气装置(4)和气体溶解膜装置(5)，在气体溶解膜装置(5)连通有排出线(8)。排出线(8)的途中，设有pH计(10A)和ORP计(10B)，这些pH计(10A)和ORP计(10B)，与控制装置(11)连接。另外，基于pH计(10A)和ORP计(10B)的测量结果，来控制pH调节剂注入装置(3A)和氧化还原电位调节剂注入装置(3B)的注入量。根据该pH、氧化还原电位调节水的制造装置，能准确地调节pH和氧化还原电位。