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公开(公告)号：CN107709908A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036896.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种冷藏库，该冷藏库即使在存在有凹凸的部分也能够不使可靠性降低地进行真空隔热件的配置而提高隔热性，并且还能够提高设置部件收纳室的部分的隔热性，而且使其隔热性能稳定，使节能性高，库内容积也大，该冷藏库包括收纳在部件收纳室(111)的发热部件(17、15)和设置在部件收纳室与贮藏室(6)之间的真空隔热件(55)，部件收纳室具有用于在壁面安装发热部件的凹凸部(18)，在设置有凹凸部的壁面的背面的壁面配置有间隔部件(21)，间隔部件包括具有匹配凹凸部形成的凹凸形状的面，并且与上述匹配凹凸形状形成的面相反侧的面实质上具有平面形状，真空隔热件设置在上述具有平面形状的面。在内箱(3)或外箱(2)的与真空隔热件相对的部分设置有空气释放孔(26)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107735635A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680036736.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 提供一种冷藏库，其能够即使在冷藏库的主体的壁面设置凹凸部也能够不降低可靠性地配置真空隔热件，且隔热性提高，节能性好，箱内容积以能够得到确保的。所述冷藏库，其包括配置于构成主体(1)的内箱(3)与外箱(2)之间的真空隔热件(55)和填充于所述内箱与外箱之间的发泡隔热件(44)，其中，在所述主体的壁面形成有凹凸部(18)，所述主体进一步具有间隔部件(21)，该间隔部件具有沿着所述凹凸部的形状的面，所述间隔部件的与所述凹凸部的形状匹配的面相反侧的面实质上具有平面形状，在实质上具有平面形状的所述面配置有所述真空隔热件。
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公开(公告)号：CN118575272A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380017962.5
申请日：2023-01-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种配置为电容的电压依赖性降低的电容器及制造该电容器的方法。电容器(1)包括硅基板(2)、导电层(3)、介电层(4)和电极层(5)。硅基板(2)具有第一主表面(21)和与第一主表面(21)相反的第二主表面(22)。硅基板(2)具有多孔硅区域(23)，该多孔硅区域(23)包括在第一主表面(21)中形成的多个孔(24)。导电层(3)沿多孔硅区域(23)的表面(231)设置。介电层(4)具有沿多孔硅区域(23)的表面(231)的形状，并且设置在导电层(3)上。电极层(5)设置在介电层(4)上。
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公开(公告)号：CN107735635B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201680036736.1
申请日：2016-06-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 提供一种冷藏库，其能够即使在冷藏库的主体的壁面设置凹凸部也能够不降低可靠性地配置真空隔热件，且隔热性提高，节能性好，箱内容积以能够得到确保的。所述冷藏库，其包括配置于构成主体(1)的内箱(3)与外箱(2)之间的真空隔热件(55)和填充于所述内箱与外箱之间的发泡隔热件(44)，其中，在所述主体的壁面形成有凹凸部(18)，所述主体进一步具有间隔部件(21)，该间隔部件具有沿着所述凹凸部的形状的面，所述间隔部件的与所述凹凸部的形状匹配的面相反侧的面实质上具有平面形状，在实质上具有平面形状的所述面配置有所述真空隔热件。
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公开(公告)号：CN119908021A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202380065913.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 问题是增加电容。硅衬底(2)具有第一区域(A1)、第二区域(A2)、第三区域(A3)和从第三区域(A3)向内突出并且当俯视时与第二多孔部分(23B)重叠的屋檐部分(27)。电容器(1)相对于屋檐部分(27)满足第一条件或第二条件中的至少一者。第一条件是在相对于硅衬底(2)限定的厚度方向(D1)上测量的第一距离(H1)应当长于在相对于硅衬底(2)限定的厚度方向(D1)上测量的包括第三区域(A3)中的主表面(21)的平面(VP1)与屋檐部分(27)的面向第二多孔部(23B)的表面(27B)之间的第二距离(H2)，其中，第一距离(H1)是平面(VP1)与第一多孔部分(23A)之间的最短距离。第二条件是当俯视时，屋檐部分(27)的尖端(272)应当位于第二区域(A2)的内周边缘之外的条件。
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公开(公告)号：CN119896064A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380066291.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本公开改进了电特性。电容器(1)包括硅衬底(2)、电介质层(4)和导体层(5)。硅衬底(2)具有掺杂层(3)。掺杂层(3)包括沿着硅衬底(2)的第一主表面(21)的第二区域(A2)设置的第一掺杂层(31)、设置在硅衬底(2)的多孔部分(23)的底部的第二掺杂层(32)以及设置在硅衬底(2)的多孔部分(23)的侧部的第三掺杂层(33)。掺杂层(3)包括第一部分(35)，第一部分(35)将第一掺杂层(31)连接到第三掺杂层(33)并且在截面图中具有凹陷弯曲的第一弯曲部分(351)。掺杂层(3)包括第二部分(36)，第二部分(36)将第二掺杂层(32)连接到第三掺杂层(33)并且在截面图中具有凸起弯曲的第二弯曲部分(361)。
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