知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

8 records (took 0.025 seconds)

    电容器
    1.
    发明公开
    电容器 审中-实审

    公开(公告)号：CN117178336A

    公开(公告)日：2023-12-05

    申请号：CN202280024923.3

    申请日：2022-03-22

    Applicant: 松下知识产权经营株式会社

    Inventor： 萩原洋右 ,  吉田和司

    IPC: H01G4/33

    Abstract: 电容器(1)包括硅衬底(2)、第一端子(31)、介电层(4)、导电部分(5)和第二端子(32)。硅衬底(2)具有主表面(21)和多孔部分(23)。主表面(21)包括开口区域(P)和除了开口区域(P)之外的非开口区域(Q)。多孔部分(23)在开口区域(P)中具有开口。第一端子(31)电连接到硅衬底(2)。介电层(4)形成在多孔部分(23)的内表面上。导电部分(5)在多孔部分(23)中填充在介电层(4)上。第二端子(32)电连接到导电部分(5)。在主表面(21)的法线方向上，第一端子(31)或第二端子(32)中的至少一个与多孔部分(23)的至少一部分重叠。

    电容器及其制造方法
    2.
    发明公开
    电容器及其制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113544847A

    公开(公告)日：2021-10-22

    申请号：CN202080018984.X

    申请日：2020-03-09

    Applicant: 松下知识产权经营株式会社

    Inventor： 吉田和司 ,  萩原洋右 ,  田浦巧

    IPC: H01L27/04 ,  H01G4/33

    Abstract: 电容器100包括硅衬底1、导体层2和电介质层3。硅衬底1包括：具有电容产生区域11和非电容产生区域12的主表面10；和在电容产生区域11中沿厚度方向设置的多孔部13。导体层2包括覆盖电容产生区域11的表面110的至少一部分的表面层部21和填充多孔部13的细孔130的至少一部分的填充部22。电介质层3插入在细孔130的内表面和填充部22之间。

    电容器及制造电容器的方法
    3.
    发明公开
    电容器及制造电容器的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118575272A

    公开(公告)日：2024-08-30

    申请号：CN202380017962.5

    申请日：2023-01-25

    Applicant: 松下知识产权经营株式会社

    Inventor： 藤田智弘 ,  萩原洋右 ,  吉田和司

    IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

    Abstract: 本发明提供一种配置为电容的电压依赖性降低的电容器及制造该电容器的方法。电容器(1)包括硅基板(2)、导电层(3)、介电层(4)和电极层(5)。硅基板(2)具有第一主表面(21)和与第一主表面(21)相反的第二主表面(22)。硅基板(2)具有多孔硅区域(23)，该多孔硅区域(23)包括在第一主表面(21)中形成的多个孔(24)。导电层(3)沿多孔硅区域(23)的表面(231)设置。介电层(4)具有沿多孔硅区域(23)的表面(231)的形状，并且设置在导电层(3)上。电极层(5)设置在介电层(4)上。

    计算处理系统、传感器系统、计算处理方法及程序
    4.
    发明公开
    计算处理系统、传感器系统、计算处理方法及程序 无效

    公开(公告)号：CN112368717A

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：CN201980041674.7

    申请日：2019-06-19

    Applicant: 松下知识产权经营株式会社

    Inventor： 吉田和司 ,  芳野大树 ,  平岩美央里 ,  福岛奖

    IPC: G06N3/063 ,  G06G7/60

    Abstract: 本公开要解决的问题是：当从作为对多种类型的物理量具有敏感度的多个传感器的集合的传感器组接收到检测信号时，从检测信号中提取任意物理量。计算处理系统(10)包括输入单元(1)、输出单元(2)和计算单元(3)。来自作为多个传感器(A1，……，Ar)的集合的传感器组(AG)的多个检测信号(DS1，……，DSn)被输入到输入单元(1)。输出单元(2)输出包括在多个检测信号(DS1，……，DSn)中的多种类型的物理量中的两种或更多种类型的物理量(x1，……，xt)。计算单元(3)基于输入到输入单元(1)的多个检测信号(DS1，……，DSn)，通过使用学习后的神经网络来计算两种或更多种类型的物理量(x1，……，xt)。

    电容器
    5.
    发明公开
    电容器 审中-实审

    公开(公告)号：CN119908021A

    公开(公告)日：2025-04-29

    申请号：CN202380065913.9

    申请日：2023-11-21

    Applicant: 松下知识产权经营株式会社

    Inventor： 萩原洋右 ,  吉田和司 ,  藤田智弘

    IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30 ,  H10D84/00 ,  H10D84/03

    Abstract: 问题是增加电容。硅衬底(2)具有第一区域(A1)、第二区域(A2)、第三区域(A3)和从第三区域(A3)向内突出并且当俯视时与第二多孔部分(23B)重叠的屋檐部分(27)。电容器(1)相对于屋檐部分(27)满足第一条件或第二条件中的至少一者。第一条件是在相对于硅衬底(2)限定的厚度方向(D1)上测量的第一距离(H1)应当长于在相对于硅衬底(2)限定的厚度方向(D1)上测量的包括第三区域(A3)中的主表面(21)的平面(VP1)与屋檐部分(27)的面向第二多孔部(23B)的表面(27B)之间的第二距离(H2)，其中，第一距离(H1)是平面(VP1)与第一多孔部分(23A)之间的最短距离。第二条件是当俯视时，屋檐部分(27)的尖端(272)应当位于第二区域(A2)的内周边缘之外的条件。

    电容器
    6.
    发明公开
    电容器 审中-实审

    公开(公告)号：CN119896064A

    公开(公告)日：2025-04-25

    申请号：CN202380066291.1

    申请日：2023-08-23

    Applicant: 松下知识产权经营株式会社

    Inventor： 萩原洋右 ,  吉田和司 ,  藤田智弘

    IPC: H10D1/68 ,  H10D84/00

    Abstract: 本公开改进了电特性。电容器(1)包括硅衬底(2)、电介质层(4)和导体层(5)。硅衬底(2)具有掺杂层(3)。掺杂层(3)包括沿着硅衬底(2)的第一主表面(21)的第二区域(A2)设置的第一掺杂层(31)、设置在硅衬底(2)的多孔部分(23)的底部的第二掺杂层(32)以及设置在硅衬底(2)的多孔部分(23)的侧部的第三掺杂层(33)。掺杂层(3)包括第一部分(35)，第一部分(35)将第一掺杂层(31)连接到第三掺杂层(33)并且在截面图中具有凹陷弯曲的第一弯曲部分(351)。掺杂层(3)包括第二部分(36)，第二部分(36)将第二掺杂层(32)连接到第三掺杂层(33)并且在截面图中具有凸起弯曲的第二弯曲部分(361)。

Patent Agency Ranking