公开(公告)号：CN101069194A

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200680001310.9

申请日：2006-10-06

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 田中博久 ,  南北正人 ,  山名正人

IPC: G06K17/00 ,  H01R12/18

CPC classification number: G06K19/077 ,  G06K7/0047 ,  G06K7/10178 ,  G06K19/07739 ,  H01R2201/02

Abstract: 一种存储卡用插座，其具有板状的天线块(17)，该天线块(17)具有在存储卡(MC)安装于卡接受容纳部(2a)中的状态下，与内置在该存储卡MC中的天线(20A)对置的线圈状的二次天线(20B)，在天线块(17)的作为二次天线(20B)的线圈的内侧的部分上，形成有作为空洞部的开口部(9a、10a)。根据以上的构成，可得到具有更小型且简单的构成、且可抑制制造成本增大、具有非接触通信功能的存储卡用插座。

公开(公告)号：CN102257649A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151116.2

申请日：2009-12-18

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 山名正人 ,  中村将启

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明的有机电致发光元件中，光反射性电极从发光层中的发光点以下式(1)规定的距离d隔离。其中，λ为从所述发光层放射的特定的光所具有的波长。n为位于发光层中的发光点和所述光反射性的电极之间的层的对波长λ的折射率。n1和k1为与所述光反射性的电极连接的层所具有的对具有波长λ的光的折射率和衰减系数。n2和k2为所述光反射性的电极的对波长λ的折射率和衰减系数。M为0或1。a在m为0或1时，满足下式：-1.17×norg/nEML+1.94≤a≤-0.16×norg/nEML+2.33或0.28×norg/nEML+0.75≤a≤2.85×norg/nEML-1.23。norg为与发光层在光反射性的电极侧处连接的层的对波长λ的折射率。nEML为发光层的对波长λ的折射率。

公开(公告)号：CN101790899A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200880104507.4

申请日：2008-08-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 中村将启 ,  山本健之 ,  光武义雄 ,  山名正人 ,  井出伸弘 ,  伊藤宜弘 ,  辻博也

IPC: H05B33/02 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5268 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L2251/5369

Abstract: 一种有机EL发光元件，具有在透光性基板(1)和有机发光层(2)之间的透光性电极(3)以及在基板(1)和透光性电极(3)之间的用于改变光方向的光提取层(4)。从有机发光层(2)发出的光通过透光性基板(1)从光提取层(4)和透光性电极(3)提取。光提取层(4)形成具有光散射层(5)。在光散射层(5)中，光散射区(8)和透光区(9)以共面关系存在，所述光散射区(8)由光散射粒子(6)和粘合剂树脂(7)构成，所述透光区(9)含有比例比光散射区(8)的比例低的光散射粒子(6)。通过提高斜向上光的提取效率同时抑制正向上光提取量的减少，可以以高效率提取光。

公开(公告)号：CN101843172A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113738.1

申请日：2008-08-28

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 井出伸弘 ,  山名正人 ,  十博也 ,  伊藤宜弘 ,  光武义雄 ,  中村将启 ,  山木健之

IPC: H05B33/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5265 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0079 ,  H01L2251/558

Abstract: 一种有机电致发光器件，由于光散射区形成于透光基板上而具有良好的发光特性。发光层(3)中的发光点与光反射电极(2)之间的距离d表示为以下等式：其中，(1)λ为当从发光层(3)发出的光的光致发光光谱的光谱辐射通量和CIE标准光谱发光效率的乘积或者光谱辐射通量除以各波长的光子能的商取最大值时的波长；n为对于波长λ的光，在发光点和光反射电极(2)之间设置的层的折射率；n1和k1分别为对于波长λ的光，在发光点和光反射电极(2)之间设置的且与光反射电极(2)接触的层的折射率和衰减系数；n2和k2分别为对于波长λ的光，光反射电极(2)的折射率和衰减系数；a为满足关系“1.28＜a≤-5.56×norg/nEML+7.74”的值；norg为对于波长λ的光，在发光点和光反射电极(2)之间设置的且与发光层(3)接触的层的折射率；nETL为对于波长λ的光，发光层(3)的折射率。