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公开(公告)号：CN1310479A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN01111383.9
申请日：2001-01-31
Applicant: 松下电子工业株式会社
Inventor： 井上征宏
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/088 , H01L29/7391 , H01L29/7833
Abstract: 半导体器件包括:在一导电型区域上的预定区域中形成的晶体管的栅绝缘膜;形成在栅绝缘膜上的晶体管的栅电极;在一导电型区域上且形成在栅绝缘膜两侧的另一导电型的扩散层;在一导电型区域上且可包围栅绝缘膜和另一导电型的扩散层那样来形成的比一导电型区域的杂质浓度高的一导电型的扩散层。在这样的半导体器件中,一导电型的扩散层与栅绝缘膜分开形成。由此,在晶体管导通状态下发生的与沟道区域的反型层(栅绝缘膜下的另一导电型的反型层)形成PN结的是比一导电型的扩散层浓度更低的一导电型区域。
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