半导体聚酰亚胺薄膜
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101274989A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200710089720.X

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 本发明提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜,具有在25℃和60%RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方;体积电阻率的常用对数为8至15logΩ·cm;按照JIS K7118进行疲劳试验重复次数为107时,疲劳应力为160MPa或更大;和按照JIS P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大,以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。

    半导体聚酰亚胺薄膜
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101274989B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN200710089720.X

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 本发明提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜,具有在25℃和60%RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方;体积电阻率的常用对数为8至15logΩ·cm;按照JIS K7118进行疲劳试验重复次数为107时,疲劳应力为160MPa或更大;和按照JIS P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大,以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。

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