半导体聚酰亚胺薄膜
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101274989A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200710089720.X

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 本发明提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜,具有在25℃和60%RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方;体积电阻率的常用对数为8至15logΩ·cm;按照JIS K7118进行疲劳试验重复次数为107时,疲劳应力为160MPa或更大;和按照JIS P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大,以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。

    基板加工设备的微粒去除部件

    公开(公告)号:CN1661790A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN200510052109.0

    申请日:2005-02-25

    CPC classification number: B08B7/0028 H05K3/26 Y10T428/31504

    Abstract: 本发明意图提供一种基板加工设备的微粒去除部件和提供采用该微粒去除部件的基板加工设备的除去微粒的方法,该微粒去除部件可以确保输送到基板加工设备中,而且可以便于并确保除去粘附的杂质。基板加工设备的微粒去除部件包括微粒去除层,其中在100℃的测量温度下通过脉冲NMR-Solid Echo法测量的自由感应衰减的信号强度衰减到初始值的37%所需要的时间为1000μs或更少,特别是,提供了包含在支持物上的上述构造的微粒去除层的微粒去除片材,和通过将上述构造的微粒去除片材粘附在输送部件上而形成的具有微粒去除功能的输送部件,以及基板加工设备除去微粒的方法,包括将具有微粒去除功能的上述构造的输送部件输送至基板加工设备中。

    半导体聚酰亚胺薄膜
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101274989B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN200710089720.X

    申请日:2007-03-27

    Abstract: 本发明提供了一种半导体聚酰亚胺薄膜,具有在25℃和60%RH表面电阻率的常用对数为9至15logΩ/平方;体积电阻率的常用对数为8至15logΩ·cm;按照JIS K7118进行疲劳试验重复次数为107时,疲劳应力为160MPa或更大;和按照JIS P8115进行MIT测试的耐弯曲次数为2,000次或更大,以及使用该半导体聚酰亚胺薄膜的中间传输带和输送带。

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