公开(公告)号：CN102574693B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080035044.8

申请日：2010-05-18

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人东京大学

发明人： 矢部裕城 ,  山木健之 ,  干川康人 ,  大久保达也 ,  下嶋敦

IPC分类号： C01B37/00

CPC分类号： C01B33/193 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/42 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/478 ,  C03C2217/732 ,  C09C1/30 ,  G02B2207/107 ,  Y10T428/2982

摘要： 公开了能够提供在更高强度与诸如低反射率(低-n)、低介电常数(低-k)和低热导率之类的性能之间具有良好平衡的模制品的中孔二氧化硅细颗粒。该中孔二氧化硅细颗粒通过包括表面活性剂复合二氧化硅细颗粒的制备步骤和将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒制成中孔二氧化硅细颗粒的方法制备。在二氧化硅细颗粒的制备步骤中，将表面活性剂、水、碱、含疏水部分的添加剂(包括用于增大胶束体积的疏水部分)与二氧化硅源混合，由此制备表面活性剂复合二氧化硅细颗粒。在中孔颗粒形成步骤中，将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒与酸和有机硅化合物混合，由此除去表面活性剂复合二氧化硅细颗粒中所含的表面活性剂和含疏水部分的添加剂，并且在每个二氧化硅细颗粒表面提供有机官能团。每个中孔二氧化硅细颗粒都包括在内部的中孔，并且在表面被有机官能团改性。

公开(公告)号：CN102574693A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080035044.8

申请日：2010-05-18

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  国立大学法人东京大学

发明人： 矢部裕城 ,  山木健之 ,  干川康人 ,  大久保达也 ,  下嶋敦

IPC分类号： C01B37/00

CPC分类号： C01B33/193 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/42 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/478 ,  C03C2217/732 ,  C09C1/30 ,  G02B2207/107 ,  Y10T428/2982

摘要： 公开了能够提供在更高强度与诸如低反射率(低-n)、低介电常数(低-k)和低热导率之类的性能之间具有良好平衡的模制品的中孔二氧化硅细颗粒。该中孔二氧化硅细颗粒通过包括表面活性剂复合二氧化硅细颗粒的制备步骤和将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒制成中孔二氧化硅细颗粒的方法制备。在二氧化硅细颗粒的制备步骤中，将表面活性剂、水、碱、含疏水部分的添加剂(包括用于增大胶束体积的疏水部分)与二氧化硅源混合，由此制备表面活性剂复合二氧化硅细颗粒。在中孔颗粒形成步骤中，将表面活性剂复合二氧化硅细颗粒与酸和有机硅化合物混合，由此除去表面活性剂复合二氧化硅细颗粒中所含的表面活性剂和含疏水部分的添加剂，并且在每个二氧化硅细颗粒表面提供有机官能团。每个中孔二氧化硅细颗粒都包括在内部的中孔，并且在表面被有机官能团改性。