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公开(公告)号:CN1158682C
公开(公告)日:2004-07-21
申请号:CN98813081.5
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/005 , C23C14/042 , H01G4/145 , H01G4/306 , H01G13/00 , Y10T428/2438 , Y10T428/24405 , Y10T428/24413
Abstract: 一种层叠体的制造方法,将使树脂材料附着、层叠出树脂层的工序,使图形材料附着在上述树脂层上的工序和层叠出金属薄膜层的工序作为一个单位,通过在环绕的支承体(511)上重复这些工序指定次数,从而制造由树脂层和金属薄膜层构成的层叠体,其中,将上述图形材料以非接触的方式附着在树脂层表面上。这样,可稳定地制造层叠出多个由树脂层和带状的电气绝缘带所分割的金属薄膜层构成的层叠单位。所获得的层叠体可用于要求小型化、高性能化和低成本化的电容器等中。
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公开(公告)号:CN1523619B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200410005521.2
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种无论层叠厚度如何、可使表面特性良好、层叠体中不含异物、以满足薄膜化和高性能化的要求的层叠体,和一种超小型电容器。本发明的层叠体,包括元件层、层叠在元件层两侧上的加强层和在加强层两侧上层叠的保护层。其中,元件层是由电介质层、和层叠在电介质层的单面上、由带状的电气绝缘部分所区分的第1金属薄膜层和第2金属薄膜层构成的数层层叠单位,而邻接的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置不同,每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置在元件层整体上不在同一位置。或者元件层是由电介质层、和层叠在电介质层的单面上除了存在于电介质层表面一端上的带状电气绝缘部分以外的部分上的金属薄膜层构成的层叠单位,而邻接的层叠单位中电气绝缘部分位于互为相反一侧层叠出数层,每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的宽度在元件层整体上不同。加强层是由树脂层、和层叠在树脂层的单面上、由带状的电气绝缘带所区分的第1金属层和第2金属层构成的层叠单位构成;或者是由树脂层、和层叠在树脂层的单面上除了存在于树脂层表面一端上的带状电气绝缘带之外的部分上的金属层构成的层叠单位构成。
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公开(公告)号:CN100419925C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200410005522.7
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 一种将由树脂薄膜层和金属薄膜层构成的层叠单位层叠出数层而成的层叠体,使上述树脂薄膜层的表面粗糙度为0.1μm以下,或使上述树脂薄膜层不含有突起形成成分,或使上述金属薄膜层的表面粗糙度为0.1μm以下。无论层叠厚度如何,由于表面特性良好,层叠体中不含有异物,所以可充分满足薄膜化和高性能化的要求。本发明的层叠体适用于电容器、特别是超小型电容器等电子元件中。
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公开(公告)号:CN1285951A
公开(公告)日:2001-02-28
申请号:CN98813080.7
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 一种将由树脂薄膜层和金属薄膜层构成的层叠单位层叠出数层而成的层叠体,使上述树脂薄膜层的表面粗度为0.1μm以下,或使上述树脂薄膜层不含有突起形成成分,或使上述金属薄膜层的表面粗度为0.1μm以下。无论层叠厚度如何,由于表面特性良好,层叠体中不含有异物,所以可充分满足薄膜化和高性能化的要求。本发明的层叠体适用于电容器、特别是超小型电容器等电子元件中。
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公开(公告)号:CN1179380C
公开(公告)日:2004-12-08
申请号:CN98813080.7
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 一种将由树脂薄膜层和金属薄膜层构成的层叠单位层叠出数层而成的层叠体,使上述树脂薄膜层的表面粗度为0.1μm以下,或使上述树脂薄膜层不含有突起形成成分,或使上述金属薄膜层的表面粗度为0.1μm以下。无论层叠厚度如何,由于表面特性良好,层叠体中不含有异物,所以可充分满足薄膜化和高性能化的要求。本发明的层叠体适用于电容器、特别是超小型电容器等电子元件中。
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公开(公告)号:CN1533881A
公开(公告)日:2004-10-06
申请号:CN200410001858.6
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/005 , C23C14/042 , H01G4/145 , H01G4/306 , H01G13/00 , Y10T428/2438 , Y10T428/24405 , Y10T428/24413
Abstract: 一种层叠体,不易产生金属薄膜层的破裂,在作为电容器使用的情况下,与以往的薄膜电容器相比在外观和结构上相似,从而在实际安装时不必有特别的顾虑,并可同时满足小型化和高性能化的要求。该层叠体由层叠出100层以上的层叠单位而成,其中,层叠单位由厚度为1μm以下的电介质层,和层叠在上述电介质层的单面上、由带状的电气绝缘部分所区分的第1金属薄膜层和第1金属薄膜层构成,其中,邻接的上述层叠单位中上述电气绝缘部分的层叠位置不同,同时每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置在层叠体整体上不相同。
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公开(公告)号:CN1257053C
公开(公告)日:2006-05-24
申请号:CN200410001858.6
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/005 , C23C14/042 , H01G4/145 , H01G4/306 , H01G13/00 , Y10T428/2438 , Y10T428/24405 , Y10T428/24413
Abstract: 一种层叠体,不易产生金属薄膜层的破裂,在作为电容器使用的情况下,与以往的薄膜电容器相比在外观和结构上相似,从而在实际安装时不必有特别的顾虑,并可同时满足小型化和高性能化的要求。该层叠体由层叠出100层以上的层叠单位而成,其中,层叠单位由厚度为1μm以下的电介质层,和层叠在上述电介质层的单面上、由带状的电气绝缘部分所区分的第1金属薄膜层和第1金属薄膜层构成,其中,邻接的上述层叠单位中上述电气绝缘部分的层叠位置不同,同时每隔一层的层叠单位中电气绝缘部分的层叠位置在层叠体整体上不相同。
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公开(公告)号:CN1542878A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN200410005522.7
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01G4/30
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 一种将由树脂薄膜层和金属薄膜层构成的层叠单位层叠出数层而成的层叠体,使上述树脂薄膜层的表面粗度为0.1μm以下,或使上述树脂薄膜层不含有突起形成成分,或使上述金属薄膜层的表面粗度为0.1μm以下。无论层叠厚度如何,由于表面特性良好,层叠体中不含有异物,所以可充分满足薄膜化和高性能化的要求。本发明的层叠体适用于电容器、特别是超小型电容器等电子元件中。
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公开(公告)号:CN1523619A
公开(公告)日:2004-08-25
申请号:CN200410005521.2
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/30
Abstract: 一种将由树脂薄膜层和金属薄膜层构成的层叠单位层叠出数层而成的层叠体,使上述树脂薄膜层的表面粗度为0.1μm以下,或使上述树脂薄膜层不含有突起形成成分,或使上述金属薄膜层的表面粗度为0.1μm以下。无论层叠厚度如何,由于表面特性良好,层叠体中不含有异物,所以可充分满足薄膜化和高性能化的要求。本发明的层叠体适用于电容器、特别是超小型电容器等电子元件中。
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公开(公告)号:CN1285952A
公开(公告)日:2001-02-28
申请号:CN98813081.5
申请日:1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G4/005 , C23C14/042 , H01G4/145 , H01G4/306 , H01G13/00 , Y10T428/2438 , Y10T428/24405 , Y10T428/24413
Abstract: 一种层叠体的制造方法,将使树脂材料附着、层叠出树脂层的工序,使图形材料附着在上述树脂层上的工序和层叠出金属薄膜层的工序作为一个单位,通过在环绕的支承体(511)上重复这些工序指定次数,从而制造由树脂层和金属薄膜层构成的层叠体,其中,将上述图形材料以非接触的方式附着在树脂层表面上。这样,可稳定地制造层叠出多个由树脂层和带状的电气绝缘带所分割的金属薄膜层构成的层叠单位。所获得的层叠体可用于要求小型化、高性能化和低成本化的电容器等中。
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