公开(公告)号：CN1271713C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410001841.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 间野良隆 ,  中根让治

IPC: H01L27/092 ,  G06K19/07

CPC classification number: G05F1/465

Abstract: 一种半导体装置，包括：降低电源电压(VDD)而输出内部电压(VINT)的降压电路(11)、与内部电压连接的非易失性存储器(13)、具有开关晶体管(PN1)和电阻器(R3)的消耗电流控制电路(14)。在此，非易失性存储器消耗的电流量与电阻器消耗的电流量大体上一致。消耗电流控制电路，利用存储器活化信号(RACT)，在非易失性存储器不动作时让开关晶体管处于导通状态，消耗与非易失性存储器消耗的电流量大体相同的电流量，而在非易失性存储器动作时让开关晶体管处于截止状态，停止电阻器的电流消耗。这样，即使内部电路从停止状态变换到动作状态的变化情况下、也能供给稳定的电压。

公开(公告)号：CN101140546A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710149508.8

申请日：2007-09-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉冈和树 ,  中根让治 ,  间野良隆

IPC: G06F12/16 ,  G11C7/20 ,  G06K19/073

CPC classification number: G11C7/20 ,  G11C16/20 ,  G11C29/72

Abstract: 根据本发明的半导体器件，包括第一非易失性存储器、存储有初始数据的第二非易失性存储器，和用于初始化第一非易失性存储器的初始化控制器，其中，第二非易失性存储器的抗应力特性高于第一非易失性存储器的抗应力特性，并且初始化控制器在第一非易失性存储器被初始化时从第二非易失性存储器读取初始数据，并将所读取的初始数据复制在第一非易失性存储器中，以初始化第一非易失性存储器。

公开(公告)号：CN1518107A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001841.0

申请日：2004-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 间野良隆 ,  中根让治

IPC: H01L27/092 ,  G06K19/07

CPC classification number: G05F1/465

Abstract: 一种半导体装置，包括：降低电源电压(VDD)而输出内部电压(VINT)的降压电路(11)、与内部电压连接的非易失性存储器(13)、具有开关晶体管(PN1)和电阻器(R3)的消耗电流控制电路(14)。在此，非易失性存储器消耗的电流量与电阻器消耗的电流量大体上一致。消耗电流控制电路，利用存储器活化信号(RACT)，在非易失性存储器不动作时让开关晶体管处于导通状态，消耗与非易失性存储器消耗的电流量大体相同的电流量，而在非易失性存储器动作时让开关晶体管处于截止状态，停止电阻器的电流消耗。这样，即使内部电路从停止状态变换到动作状态的变化情况下、也能供给稳定的电压。