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公开(公告)号:CN101064789A
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200710005409.2
申请日:2007-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14831 , H01L27/14887 , H04N5/23245 , H04N5/343 , H04N5/3456 , H04N5/3458 , H04N5/3595 , H04N5/37213 , H04N5/3728
Abstract: 本发明公开了一种摄像装置及固体摄像装置的驱动方法。固体摄像装置包括:具有垂直型溢出沟道结构的光电二极管、将从光电二极管传送来的信号暂时积累起来的垂直移位寄存器、以及将从垂直移位寄存器传送来的信号积累起来并传送到水平方向的水平移位寄存器。对该固体摄像装置,将脉冲宽度比施加到各个垂直移位寄存器的栅电极的φV脉冲的宽的φSUB施加给基板。这样便能将积累在光电二极管中的污点电荷扫出到基板方向。
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公开(公告)号:CN1542981A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN200410038462.9
申请日:2004-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/3728 , H04N5/3592
Abstract: 本发明提供一种改善光电二极管线性特性使灵敏度提高的固体摄像装置及其驱动方法。本发明的固体摄像装置的驱动部将基片偏压变更成下述第2偏压,在曝光期间结束后且垂直CCD所有信号电荷转出前,通过使第2偏压叠加饱和信号量控制用脉冲来降低溢出垒,上述第2偏压是比第1偏压更低的电压,用来设定溢出垒的高度使之比读出栅极的位垒更高。
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公开(公告)号:CN100459666C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200410038462.9
申请日:2004-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04N5/3728 , H04N5/3592
Abstract: 本发明提供一种改善光电二极管线性特性使灵敏度提高的固体摄像装置及其驱动方法。本发明的固体摄像装置的驱动部将基片偏压变更成下述第2偏压,在曝光期间结束后且垂直CCD所有信号电荷转出前,通过使第2偏压叠加饱和信号量控制用脉冲来降低溢出垒,上述第2偏压是比第1偏压更低的电压,用来设定溢出垒的高度使之比读出栅极的位垒更高。
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