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公开(公告)号：CN100533409C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200680006470.2
申请日：2006-07-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 用于非易失性存储器的地址管理，将整个逻辑地址空间划分成逻辑地址范围(0至15)，将物理地址空间划分成物理区(分段0至15)。使逻辑地址范围分别与物理区相关联，以管理所述地址。使逻辑地址范围的大小均衡。使与要存储诸如FAT之类被更频繁地重写的数据的逻辑地址范围(0)对应的物理区(分段(0))的大小比其它物理区的大小大，并分配逻辑地址范围和物理区。作为替换，使物理区的大小均衡，设置逻辑地址范围(0)的大小比其它逻辑地址范围的大小小。这样，物理区(分段)的实际重写频率彼此相等，由此能够延长非易失性存储器的寿命。
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公开(公告)号：CN100422956C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480022531.5
申请日：2004-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0632 , G06F3/0679
Abstract: 本发明提供一种半导体存储卡、存取装置和存取方法。在半导体存储卡内设置卡信息存储部，保持关于半导体存储卡的存取条件或存取速度等的存取性能的信息。另外，存取装置从半导体存储卡取得保持的信息，以用于文件系统的控制中。由此，尽管所用的存储器的特性或管理方法不同，均可最佳化存取装置、半导体存储卡的处理，可从存取装置对半导体存储卡实现高速的存取。
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公开(公告)号：CN100422955C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200480008606.4
申请日：2004-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/06 , G06F2212/2022
Abstract: 将控制器(102)和4个闪速存储器(F0～F3)的各2个连接到2条存储器总线上，将各闪速存储器分割为大致相等的大小的区域，形成前后半区域。在4存储器结构时，以每个规定的大小区分由主机指定的连续逻辑地址，按下述顺序以重复巡回F0、F1、F2、F3的形式进行写入。在2存储器结构时，以重复巡回F00、F10、F01、F11的形式进行写入。这样，与连接到控制器上的闪速存储器的数目无关地谋求控制器处理的共用化。
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公开(公告)号：CN101185067A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680017750.3
申请日：2006-05-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7201
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器，其能够避免在正常动作时由于地址管理表的写回处理所引起的存取速度下降，并且能够缩短在存储器卡初始化时地址管理表的生成时间。存储器控制器(114)具有，暂时存储地址管理表(112)的读写存储器(113)；存储器控制部(122)，在数据的写入目标的物理块从某地址范围切换到其它地址范围时，其向非易失性存储器(115)写入读写存储器中暂时存储的地址管理表和用于将切换后的地址范围特定下来的地址范围确定信息；以及地址管理表生成部(107)，在初始化时基于地址范围确定信息，读取在特定的地址范围内中包含的、用于管理物理块的状态的分布管理信息，并基于读取的分布管理信息生成地址管理表(112)。
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公开(公告)号：CN100371873C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200480006833.3
申请日：2004-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0611 , G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , Y02D10/154
Abstract: 在半导体存储卡内设置主信息存储器，保持从访问装置提供的数据写入开始地址和数据尺寸。空物理区生成单元在根据数据写入开始地址和数据尺寸写入数据时，决定是否清除非易失性存储器的无效块以及所清除的块数。在清除的情况下，对于不同的存储器芯片同时执行数据写入和无效块的清除。由此，优化数据的清除处理，能够实现从访问装置对于半导体存储卡的高速访问。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1833229A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022531.5
申请日：2004-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0632 , G06F3/0679
Abstract: 本发明提供一种半导体存储卡、存取装置和存取方法。在半导体存储卡内设置卡信息存储部，保持关于半导体存储卡的存取条件或存取速度等的存取性能的信息。另外，存取装置从半导体存储卡取得保持的信息，以用于文件系统的控制中。由此，尽管所用的存储器的特性或管理方法不同，均可最佳化存取装置、半导体存储卡的处理，可从存取装置对半导体存储卡实现高速的存取。
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公开(公告)号：CN100576360C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580014359.3
申请日：2005-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/22 , G06F11/1068 , G11C16/3418 , G11C2029/0409
Abstract: 本发明涉及半导体存储器装置，当读出传送源的数据时产生错误时，不会在包含错误的状态下将数据写入传送目的端。在包含数据写入单位比物理块小的非易失性存储器(2)的半导体存储器装置(1)中，在非易失性存储器(2)的内部设置错误检测及校正电路(23)。将存储在非易失性存储器(2)内的预定物理块的数据传送并写入到不同的物理块中时，错误检测及校正电路(23)进行数据的错误检测与校正。
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公开(公告)号：CN100517268C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580012455.4
申请日：2005-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非易失性存储系统，当文件系统控制部(155A)将文件数据写入主存储器(142)时，通过将文件数据与目录项写入到不同的分配单元，就变得易于连续写入文件，并且能够在目录项的更新时减少文件的复制次数。这样一来，即便在使用作为擦除单位的物理区块大小大于簇大小的非易失性存储器的情况下，也能够使写入性能提高。
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公开(公告)号：CN100407178C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200580015993.9
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/10 , G06F11/1068
Abstract: 本发明可保存产生写入错误的地址，在一系列的写入完成之后，读出所保存的地址数据。而且，通过仅对于无法进行数据纠正的地址、及判断为需要进行写入重试的地址进行不良区块处理，可防止不良区块的增加。从而，向指定的快闪存储器进行写入时，可防止频繁出现写入错误、以及大量产生不良区块。
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公开(公告)号：CN1947100A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012455.4
申请日：2005-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非易失性存储系统，当文件系统控制部(155A)将文件数据写入主存储器(142)时，通过将文件数据与目录项写入到不同的分配单元，就变得易于连续写入文件，并且能够在目录项的更新时减少文件的复制次数。这样一来，即便在使用作为擦除单位的物理区块大小大于簇大小的非易失性存储器的情况下，也能够使写入性能提高。
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