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公开(公告)号：CN101465166A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810168952.9
申请日：2008-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C29/04
CPC classification number: G11C29/003 , G11C2029/3602
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。在具有以例如数百MHz进行高速动作的多行并联配置式多级移位寄存器电路的半导体装置中，即使由于该移位寄存器电路的规模(面积)增大而使布线延迟显现化时，也能按照实际速度对所述移位寄存器电路中的错误进行检测。当将N行并联配置式M级移位寄存器电路(101)的N行中的例如两行移位寄存器设定为一组时，在每一组中，输入电路(102)向构成一组的两行移位寄存器输入同一测试图形。用比较电路(103)对该一组中的各行移位寄存器的输出之间加以比较后，仅将该比较结果进行输出。所述N行并联配置式M级移位寄存器电路(101)和所述比较电路(103)接收数百MHz的时钟信号CK而进行动作。
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公开(公告)号：CN101119446B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710092089.9
申请日：2007-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/3575 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置及摄像装置。目的在于：提供一种装载了具有高增益且由较少的元件数和布线数构成的列放大器的固体摄像装置及摄像装置。固体摄像装置包括配置为矩阵状的多个像素、在每列配线且每条连接在一列像素上的多条垂直信号线(VL)和由多个放大器AP构成的列放大器(5)。各个放大器AP具有电流源用金属氧化物半导体晶体管(T1)；放大图像信号的放大金属氧化物半导体晶体管(T2)；以及在电流源用金属氧化物半导体晶体管与上述放大金属氧化物半导体晶体管之间，与放大金属氧化物半导体晶体管进行共源—共栅串联连接，且让被放大的图像信号从与电流源用金属氧化物半导体晶体管(T1)之间输出的共源—共栅金属氧化物半导体晶体管(T3)。在多个放大器AP的每一个中设置的共源—共栅金属氧化物半导体晶体管(T3)的栅极端子连接为一体。
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公开(公告)号：CN101107843A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002220.1
申请日：2006-07-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/335 , H04N5/37457 , H04N5/3765
Abstract: 固态摄像装置，包括：各自被设置而呈矩阵状、并分别根据入射光输出像素信号的多个单位像素21，和接收像素信号的多个浮动扩散部22。多个单位像素21中的一单位像素、和设置于与该一单位像素相邻的行且相邻的列上的其他单位像素，共同具有浮动扩散部22。
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公开(公告)号：CN101119446A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710092089.9
申请日：2007-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H04N5/3575 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了固体摄像装置及摄像装置。目的在于：提供一种装载了具有高增益且由较少的元件数和布线数构成的列放大器的固体摄像装置及摄像装置。固体摄像装置包括配置为矩阵状的多个像素、在每列配线且每条连接在一列像素上的多条垂直信号线(VL)和由多个放大器AP构成的列放大器(5)。各个放大器AP具有电流源用金属氧化物半导体晶体管(T1)；放大图像信号的放大金属氧化物半导体晶体管(T2)；以及在电流源用金属氧化物半导体晶体管与上述放大金属氧化物半导体晶体管之间，与放大金属氧化物半导体晶体管进行共源一共栅串联连接，且让被放大的图像信号从与电流源用金属氧化物半导体晶体管(T1)之间输出的共源－共栅金属氧化物半导体晶体管(T3)。在多个放大器AP的每一个中设置的共源－共栅金属氧化物半导体晶体管(T3)的栅极端子连接为一体。
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