公开(公告)号：CN103717963A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280039237.X

申请日：2012-03-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中一彦 ,  池户教夫

IPC: F21V9/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: F21V9/08 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/08 ,  F21V5/04 ,  F21V7/0066 ,  F21V9/30 ,  F21Y2115/30 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/16225 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明涉及的荧光体光学元件，其具备：在对于来自激励光源的入射光的波长为透明的透明基材(10)上所顺次形成的、基底部件(20)、和由包含荧光体微粒子(32)的透明部件(31)构成的含荧光体部件(30)、以及罩部件(40)，荧光体微粒子(32)的粒子径为入射光的波长以下，在含荧光体部件(30)的在与透明基材(10)的主面垂直的方向上的由任意的截面线而成的截面中、在与透明基材(10)的主面垂直的方向上的含荧光体部件(30)的厚度，为入射光的波长以下。

公开(公告)号：CN102301548A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080003286.9

申请日：2010-09-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日井秀纪 ,  池户教夫

IPC: H01S5/343 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/325 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3413 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，半导体发光装置具备：在基板(101)上形成的n型覆层(102)；在n型覆层(102)上形成且具有阱层以及障壁层的活性层(105)；在活性层(105)上形成的p型覆层(109)。其中，阱层由含有铟的氮化物半导体构成，且阱层的氢浓度高于n型覆层(102)的氢浓度，且低于p型覆层(109)的氢浓度。

公开(公告)号：CN101030694A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610171146.8

申请日：2006-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田村聪之 ,  池户教夫

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/065 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/2231 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0658 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/221 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00

Abstract: 本发明公开了一种自激振荡型氮化物半导体激光装置。在包括由n型包层11和p型包层13夹着的活性层12和具有使流向活性层12的电流狭窄的开口部的电流狭窄层14的埋入结构中，在电流狭窄层14上形成有由添加了p型杂质的氮化物半导体形成的再成长层15来将电流狭窄层14的开口部覆盖好。埋设在开口部的再成长层15中与开口部侧面相邻且具有一定宽度W的区域成为n型化区域15a。这样一来，通过使实际效果是电流狭窄层14的开口部变窄来得到自激振荡型氮化物半导体激光装置10。