公开(公告)号：CN100547701C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200480025316.0

申请日：2004-09-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林信和 ,  尾中和弘 ,  仲尾幸夫 ,  田川正孝 ,  锅谷公志 ,  山口雅子

IPC: H01F10/16 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。

公开(公告)号：CN1682386A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821294.3

申请日：2003-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西脇英谦 ,  尾中和弘 ,  林信和

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/3231 ,  H01F10/3236 ,  H01F41/32

Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件及其制造方法和使用方法，该磁致电阻效应元件包括：在基板(1)上的一部分上，把磁性薄膜与金属非磁性薄膜交替地层叠两层或更多层，以预定的图形形状形成的金属人工晶格膜(4)；覆盖金属人工晶格膜(4)而形成的第一保护膜(5)；以及在第一保护膜(5)上形成的第二保护膜(6)，第一保护膜(5)的残余应力实质上为零，第二保护膜(6)由具有阻止水分透过能力的材料构成。由此，能够实现即使在高温状态下也不产生磁滞、特性不劣化、耐热性和耐蚀性方面良好的磁致电阻效应元件，在汽车用等苛刻的环境中也能够适用。

公开(公告)号：CN1846286A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025316.0

申请日：2004-09-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林信和 ,  尾中和弘 ,  仲尾幸夫 ,  田川正孝 ,  锅谷公志 ,  山口雅子

IPC: H01F10/16 ,  G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种磁偏膜及使用了该磁偏膜的磁传感器。该磁偏膜(9)包括包含磁性层、被加工成长边、短边、(层压方向的)厚度依次减短的大致长方体形状、且在与磁性层的层压方向垂直的面内产生磁场的磁偏磁体(11)。而且，磁偏磁体(11)，长边对短边的长度的比在5～200之间。