公开(公告)号：CN100470768C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200580026424.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻生寿穗 ,  平野辰也 ,  清水克敏

IPC: H01L23/08 ,  H01L23/04

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/057 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体封装体的制造方法，包含使用托架与开孔机开孔通过模具所形成的密封体的导线侧面区域的一部分与连接杆的步骤。托架，是在自密封体上部的侧面尽量后退的部位有外侧面，并有大致靠近于密封体下部的侧面的大致靠近的内侧面。托架的上表面宽度小于密封体上部的悬空突出量。导线侧面区域中，位于密封体上部的悬空突出部的垂直下方之前端区域(Ra)，包含朝向下方倾斜于内侧的倾斜面(Fa1)。

公开(公告)号：CN101002317A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580026424.4

申请日：2005-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻生寿穗 ,  平野辰也 ,  清水克敏

IPC: H01L23/08 ,  H01L23/04

CPC classification number: H01L23/49861 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/057 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体封装体的制造方法，包含使用托架与开孔机开孔通过模具所形成的密封体的导线侧面区域的一部分与连接杆的步骤。托架，是在自密封体上部的侧面尽量后退的部位有外侧面，并有大致靠近于密封体下部的侧面的大致靠近的内侧面。托架的上表面宽度小于密封体上部的悬空突出量。导线侧面区域中，位于密封体上部的悬空突出部的垂直下方之前端区域(Ra)，包含朝向下方倾斜于内侧的倾斜面(Fa1)。

公开(公告)号：CN1731580A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510085957.1

申请日：2005-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 稻生寿穗 ,  平野辰也 ,  清水克敏

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L27/14 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装体、其制造方法及半导体器件。本发明的目的在于：提供一种实现引线和铸模树脂之间较强的粘合力、可靠性较高的半导体封装体、其制造方法及半导体器件。半导体器件(1)，包括：半导体芯片(11)、用于进行半导体芯片(11)和外部设备之间的信号授受的引线(12)、金属细线(17)、将引线(12)封上的封闭体(13)、以及盖部件(15)。在引线(12)的表面上，形成有通过氧化处理的金属氧化膜(20)。此氧化膜的厚度，大于自然氧化膜，在小于等于80nm的范围内。