加热冷却试验方法及加热冷却试验装置

    公开(公告)号:CN102680345A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210063004.5

    申请日:2012-03-02

    Abstract: 本发明提供一种在升温步骤中能简单地进行升温而不使用珀耳帖元件的加热冷却试验方法及加热冷却试验装置。加热冷却试验方法用于对安装有电子元器件(6a~6e)的电路基板进行评价,包括使电子元器件升温的升温步骤、使电子元器件冷却的冷却步骤、及交替重复升温步骤和冷却步骤的重复步骤,其中,升温步骤中,通过对装载在电子元器件上的激光吸收体(7a、7b、7c、7e)照射激光束(3a、3b、3c、3e)以进行加热,从而使电子元器件升温。

    太阳电池及其制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100459174C

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200580000804.0

    申请日:2005-01-12

    Abstract: 本发明提供一种太阳电池,其包括:基板(21),在基板(21)上形成的导电膜(22),形成于导电膜(22)上且具有包含Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的p型半导体晶体的化合物半导体层(23),形成于化合物半导体层(23)上且具有开口(29)的n型窗层(24),在n型窗层(24)上以及在n型窗层(24)的开口之下的化合物半导体层(23)上形成的n型透明导电膜。其中,化合物半导体层(23)具有高电阻部(23B),高电阻部(23B)在与导电膜(22)相反一侧的表面附近的部分区域形成,含有掺杂在p型半导体晶体中的n型杂质;且高电阻部(23B)配置在n型窗层(24)的开口(29)之下。

    空调器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1262797C

    公开(公告)日:2006-07-05

    申请号:CN03142915.7

    申请日:2003-05-23

    Abstract: 本发明是在结露水从上述换热器翅片流到集水盘的路径上设置着由比翅片的离子化倾向大的金属制成的金属部件,使上述金属部件和上述换热器呈电连接状态,并在上述金属部件的至少一个表面上设置化学转换处理薄膜层。在这样的结构下,由于换热器翅片和金属部件的离子化倾向的差异,使带负电荷的细菌通过电泳渐渐聚集到由于释放出正的金属离子而变成低电位的金属部件侧,这样抑制了细菌的自由活动,使新陈代谢功能不活跃的细菌变弱,并很快死亡。

    太阳电池及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1842920A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200580000804.0

    申请日:2005-01-12

    Abstract: 本发明提供一种太阳电池,其包括:基板(21),在基板(21)上形成的导电膜(22),形成于导电膜(22)上且具有包含Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素的p型半导体晶体的化合物半导体层(23),形成于化合物半导体层(23)上且具有开口(29)的n型窗层(24),在n型窗层(24)上以及在n型窗层(24)的开口之下的化合物半导体层(23)上形成的n型透明导电膜。其中,化合物半导体层(23)具有高电阻部(23B),高电阻部(23B)在与导电膜(22)相反一侧的表面附近的部分区域形成,含有掺杂在p型半导体晶体中的n型杂质;且高电阻部(23B)配置在n型窗层(24)的开口(29)之下。

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