公开(公告)号：CN103348040A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280007055.4

申请日：2012-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 出口正洋 ,  四桥聪史 ,  山田由佳 ,  大川和宏

IPC: C25B5/00 ,  B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  C01B31/18 ,  C25B1/00 ,  C25B3/04 ,  C25B11/04 ,  C25B11/06

CPC classification number: C25B3/04 ,  C01B32/40 ,  C25B1/003

Abstract: 本发明的还原二氧化碳的方法，具备：准备具备阴极室（302）、阳极室（305）、固体电解质膜（306）、阴极电极（301）和阳极电极（304）的二氧化碳还原装置（300）的工序（a）；和在阳极电极（302）上照射具有350纳米以下的波长的光，在阴极电极（304）上将二氧化碳还原的工序（b），阴极电极（301）具备铜或者铜化合物，阳极电极（304）具备由将AlxGa1-xN层（0＜x≤1）和GaN层叠层而成的氮化物半导体层构成的区域。

公开(公告)号：CN103348039A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280006977.3

申请日：2012-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 出口正洋 ,  四桥聪史 ,  山田由佳 ,  大川和宏

IPC: C25B5/00 ,  B01J23/08 ,  B01J35/02 ,  C01B31/18 ,  C25B1/00 ,  C25B3/04 ,  C25B11/04 ,  C25B11/06

CPC classification number: C25B3/04 ,  C01B32/40 ,  C25B1/003

Abstract: 本发明的还原二氧化碳的方法，具备：准备具备阴极室（302）、阳极室（305）、固体电解质膜（306）、阴极电极（301）和阳极电极（304）的二氧化碳还原装置（300）的工序（a）；和在阳极电极（302）上照射具有350纳米以下的波长的光，在阴极电极（304）上将二氧化碳还原的工序（b），阴极电极（301）具备铟或者铟化合物，阳极电极（304）具备由将AlxGa1-xN层（0＜x≤1）和GaN层叠层而成的氮化物半导体层构成的区域。

公开(公告)号：CN1094848A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102046.0

申请日：1994-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田善一 ,  伊东克通 ,  水口信一 ,  三露常男 ,  大川和宏

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/38 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。

公开(公告)号：CN1109111A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94120719.6

申请日：1994-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大川和宏 ,  三露常男

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/46

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/002 ,  C30B29/48

Abstract: 一种晶体生长方法，包括一个将三种材料，其中一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，分别填入各自喷射室的步骤以及一个通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长Zn1yMgySzSe1-Z(0＜Y＜1和0＜Z＜1)单晶薄膜的步骤。