公开(公告)号：CN1477695A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03143801.6

申请日：2003-07-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 垂水喜明 ,  池田敦 ,  岸田刚信

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其目的在于：为微细化了的布线形成沟及通孔，制成不会出现空隙或者缝口且埋入特性优良的金属布线。利用溅射法在包含通孔17a及上布线形成沟18a的壁面及底面的第4绝缘膜17上沉积厚度约25nm、由氮化钽制成的下阻挡层19。此时的溅射条件是对靶施加约10kW的DC源功率。之后，将DC源功率降到2kW左右，对半导体衬底施加约200W的RF功率，对下阻挡层19进行使用了氩气的、蚀刻量为5nm左右的溅射蚀刻，由此而将沉积在通孔17a的底面的下阻挡层19的至少一部分沉积在通孔17a的壁面的下方。