公开(公告)号：CN1195318C

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02158815.5

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 住田贤二 ,  奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  中山一郎 ,  筱原己拔 ,  神田稔 ,  又村慎一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。

公开(公告)号：CN100541767C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680003073.X

申请日：2006-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 ,  前川幸弘

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H03H9/1092 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子元件封装及其制造方法，通过将盖部件(3)与基底部件(2)接合，在基底部件与盖部件之间的内部空间(61)中配置与盖部件(3)相接的内部电极(51)以及与内部电极连接的电子元件(41)。然后，从盖部件的与基底部件相反一侧的面(31)通过规定方法实施蚀刻，从而形成到达内部电极的表面的贯通孔(32)，向贯通孔添加导电性材料，并在面上形成与内部电极连接的外部电极，从而完成了薄型的电子元件封装(1)。

公开(公告)号：CN1284209C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN03104241.4

申请日：2003-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  铃木宏之 ,  中山一郎

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23F4/00 ,  Y02E50/30

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给与所述频率不同的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。

公开(公告)号：CN1430247A

公开(公告)日：2003-07-16

申请号：CN02158815.5

申请日：2002-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 住田贤二 ,  奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  中山一郎 ,  筱原己拔 ,  神田稔 ,  又村慎一

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32183

Abstract: 本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。

公开(公告)号：CN101107706A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680003073.X

申请日：2006-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 东和司 ,  前川幸弘

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H03H9/1092 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子元件封装及其制造方法，通过将盖部件(3)与基底部件(2)接合，在基底部件与盖部件之间的内部空间(61)中配置与盖部件(3)相接的内部电极(51)以及与内部电极连接的电子元件(41)。然后，从盖部件的与基底部件相反一侧的面(31)通过规定方法实施蚀刻，从而形成到达内部电极的表面的贯通孔(32)，向贯通孔添加导电性材料，并在面上形成与内部电极连接的外部电极，从而完成了薄型的电子元件封装(1)。

公开(公告)号：CN1437223A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03104241.4

申请日：2003-02-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  前川幸弘 ,  铃木宏之 ,  中山一郎

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23F4/00 ,  Y02E50/30

Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给所述频率为另外的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。