公开(公告)号：CN104247258A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201480001035.5

申请日：2014-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥幸二 ,  中村重纪

IPC: H03F3/193 ,  H03F3/21

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/223 ,  H03F3/08 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F3/3028 ,  H03F2200/171 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0408

Abstract: 本发明提供抑制电路规模增大和耗电增大且容易地抑制奇数次高次谐波的放大器。该放大器具备：具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，该放大器还具备：附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion，氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。

公开(公告)号：CN104247258B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201480001035.5

申请日：2014-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥幸二 ,  中村重纪

IPC: H03F3/193 ,  H03F3/21

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/223 ,  H03F3/08 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F3/3028 ,  H03F2200/171 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555 ,  H04B1/0475 ,  H04B2001/0408

Abstract: 本发明提供抑制电路规模增大和耗电增大且容易地抑制奇数次高次谐波的放大器。该放大器具备：具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，该放大器还具备：附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion，氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。