用于MIP封装的层叠体及制备方法、封装结构及制备方法

    公开(公告)号:CN117832370A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311787239.3

    申请日:2023-12-22

    IPC分类号: H01L33/54 H01L33/56 H01L33/58

    摘要: 本发明属于发光器件技术领域。本发明公开了一种用于MIP封装的层叠体,该层叠体包括光导层和衬度层;衬度层设于光导层的一侧;经1000mJ/cm2能量照射并在150℃下处理60min后,光导层的玻璃化转变温度大于等于40℃。本发明还公开了一种层叠体的制备方法。本发明还提供了一种封装结构。本发明还公开了一种封装结构的制备方法。本发明中的层叠体刚性较高,切割后端面平整无毛边,能显著提高封装结构在切割后端面的平整度,提高了切割质量和良品率。