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公开(公告)号：CN119296948A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411804798.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学 , 淄博齐林电力工程有限公司
Abstract: 本发明公开一种同步降低FeSiAl磁粉芯磁滞损耗和涡流损耗的方法，包括以下步骤：配制金属M的盐类溶液，所述金属M为原子半径与Al原子不相等的低熔点金属，且与Al能形成置换固溶体；将盐类溶液加入到FeSiAl磁粉芯中，烘干后得到绝缘包覆好的磁粉芯，然后加入粘结剂和润滑剂，制成待成型磁粉；将待成型磁粉压制成型，热处理后获得磁粉芯。本发明通过低熔点M原子向FeSiAl基体内扩散并占据Al空位，在退火过程中可以减轻晶格畸变，从而降低矫顽力和磁滞损耗；更重要的是，M原子掺入FeSiAl后基体电阻率升高，可以有效抑制颗粒内涡流损耗，同时，原位氧化生成的Al2O3包覆层可以有效隔离颗粒间涡流损耗，因此，本发明方法实现了同步降低磁滞损耗和涡流损耗。
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公开(公告)号：CN119296948B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411804798.5
申请日：2024-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学 , 淄博齐林电力工程有限公司
Abstract: 本发明公开一种同步降低FeSiAl磁粉芯磁滞损耗和涡流损耗的方法，包括以下步骤：配制金属M的盐类溶液，所述金属M为原子半径与Al原子不相等的低熔点金属，且与Al能形成置换固溶体；将盐类溶液加入到FeSiAl磁粉芯中，烘干后得到绝缘包覆好的磁粉芯，然后加入粘结剂和润滑剂，制成待成型磁粉；将待成型磁粉压制成型，热处理后获得磁粉芯。本发明通过低熔点M原子向FeSiAl基体内扩散并占据Al空位，在退火过程中可以减轻晶格畸变，从而降低矫顽力和磁滞损耗；更重要的是，M原子掺入FeSiAl后基体电阻率升高，可以有效抑制颗粒内涡流损耗，同时，原位氧化生成的Al2O3包覆层可以有效隔离颗粒间涡流损耗，因此，本发明方法实现了同步降低磁滞损耗和涡流损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117750745A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311676821.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土基电磁屏蔽材料，包括基体以及分散在所述基体中的稀土永磁合金粉末，其中，所述稀土永磁合金粉末在所述稀土基电磁屏蔽材料中的质量分数大于或等于30％，所述稀土永磁合金粉末由稀土永磁合金破碎后得到，且所述稀土永磁合金粉末同时满足以下条件：(1)剩磁大于或等于8.0kGs；(2)内禀矫顽力大于或等于10kOe；(3)最大磁能积大于或等于15MGOe。本发明还涉及一种稀土基电磁屏蔽材料的制备方法和应用。本发明所述稀土基电磁屏蔽材料主要由基体材料和稀土永磁合金粉末构成，稀土基电磁屏蔽材料在X至Ku波段的电磁屏蔽效能超过30dB，可屏蔽该频段99.9％的电磁波能量，具有优异的电磁屏蔽作用，且制备方法简单高效，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN118832162A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411313866.8
申请日：2024-09-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种银包铜粉及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：将亲水改性的铜粉与络合剂混合，以第一速度滴加第一银氨溶液，随后以第二速度同时滴加第二银氨溶液和还原剂，经固液分离、清洗、干燥得到银包铜粉；其中，所述第一速度与所述第二速度的比值为1:3~1:16。本发明提供的制备方法能够提高银包铜粉的包覆致密性和均匀性，同时工艺简单、安全性高、成本较低，适用于规模化生产，该制备方法制得的银包铜粉表面连续且光滑，具有优异的电磁屏蔽性能，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN117715399A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311620237.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种碳包覆稀土合金纳米颗粒，纳米颗粒为核壳结构，壳层为碳壳层，内核为稀土金属和磁性金属构成的稀土合金，且所述碳壳层的厚度占所述纳米颗粒粒径的2％‑50％。本发明还涉及碳包覆稀土合金纳米颗粒的制备方法和应用，所述碳包覆稀土合金纳米颗粒为磁‑介电型复合电磁波吸收剂，且具有纳米尺度，使得所述碳包覆稀土合金纳米颗粒具有优异的吸波性能，进而采用所述碳包覆稀土合金纳米颗粒制得的电磁波吸收材料具有优异的电磁波吸收性能。
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公开(公告)号：CN114373621A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210079110.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开限域绝缘包覆软磁铁硅铝工艺及其产品。本发明结合了氧储存材料易于失去O原子、金属Al及O原子的快速热扩散，及两者之间的一种限域固态反应，获得了一种全新的FeSiAl/Al2O3‑x/氧储存材料(OSMs)复合磁粉芯，这种限域包覆技术是在FeSiAl基体原位制备包覆层，除了能实现均匀包覆外，更重要的，限域包覆技术制备的包覆层与FeSiAl基体之间存在半共格结构，与基体结合牢固，适配性好，在压制成型过程中不易脱落。
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公开(公告)号：CN119772164A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411963463.8
申请日：2024-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及银粉及其制备方法和应用，其中，银粉为球形，银粉由大颗粒单晶银粉和小颗粒单晶银粉堆积而成，其中，银粉中大颗粒单晶银粉的平均粒径为0.8μm‑1.2μm，小颗粒单晶银粉的平均粒径为0.3μm‑0.6μm，且银粉的SPAN为6.45‑8.3，均方根粗糙度为2.36nm‑3.97nm。该银粉具有表面光滑、粒径小、粒径分布范围宽、分散性良好的特点，能够使其制备电磁波屏蔽薄片具有优异的导电性能和电磁波屏蔽性能。
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