公开(公告)号：CN109326637B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201811208426.0

申请日：2018-10-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  黄意飞 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提出一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构，包括二极管，所述二极管从下至上依次设有阴极、浓度N型掺杂SiC衬底、低浓度N型掺杂SiC外延层、高浓度P型掺杂SiC欧姆接触区、P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区、阳极和氧化层，所述P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区由高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区组成，所述高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区均为阶梯型；本发明提出通过结终端扩展结构中一个具有阶梯型的双区结终端扩展区，在工艺不变的情况下提高了双区P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区结构的稳定性，使得本发明的结构耐压能力好，同时能够容忍更高浓度的结终端扩展区。

公开(公告)号：CN109326637A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811208426.0

申请日：2018-10-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  黄意飞 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提出一种高压功率器件的阶梯结终端扩展结构，包括二极管，所述二极管从下至上依次设有阴极、浓度N型掺杂SiC衬底、低浓度N型掺杂SiC外延层、高浓度P型掺杂SiC欧姆接触区、P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区、阳极和氧化层，所述P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区由高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区组成，所述高浓度结终端扩展区和低浓度结终端扩展区均为阶梯型；本发明提出通过结终端扩展结构中一个具有阶梯型的双区结终端扩展区，在工艺不变的情况下提高了双区P型掺杂SiC阶梯结终端扩展区结构的稳定性，使得本发明的结构耐压能力好，同时能够容忍更高浓度的结终端扩展区。