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公开(公告)号：CN114219082A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111631745.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种改进的忆阻神经元电路，包括n个忆阻突触电路、神经元求和电路以及激活函数电路。每个忆阻突触电路包括一个输入端、一个控制端和一个输出端，所述输入端用于接收输入电压和权重控制电压；所述控制端连接控制信号VG，用于控制权重的正负和权重的增减。神经元求和电路将n个经过忆阻突触电路加权后的输入信号相加后，输出至激活函数电路，所述激活函数电路的输出作为整个神经元电路的输出。本发明的忆阻器突触电路只需一种控制电压，节省了反相器，减小了电路面积，在组成大型神经网络电路时具有良好的效果。
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公开(公告)号：CN112818617B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011638894.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/327
Abstract: 本发明公开了一种基于三值忆阻器的数字或门实现方法。本发明设计了一个正向‑正向三值或门电路，一个反向‑正向三值或门电路，一个正向‑反向三值或门电路，一个反向‑反向三值或门电路，或门电路中的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器。本发明结构清晰简单，易于实现。该门电路模型在多值数值逻辑运算，忆阻交叉阵列等诸多应用领域研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114219082B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111631745.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种改进的忆阻神经元电路，包括n个忆阻突触电路、神经元求和电路以及激活函数电路。每个忆阻突触电路包括一个输入端、一个控制端和一个输出端，所述输入端用于接收输入电压和权重控制电压；所述控制端连接控制信号VG，用于控制权重的正负和权重的增减。神经元求和电路将n个经过忆阻突触电路加权后的输入信号相加后，输出至激活函数电路，所述激活函数电路的输出作为整个神经元电路的输出。本发明的忆阻器突触电路只需一种控制电压，节省了反相器，减小了电路面积，在组成大型神经网络电路时具有良好的效果。
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公开(公告)号：CN113810043A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111031598.7
申请日：2021-09-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的平衡三值译码器电路，包括第一输出电路、第二输出电路、第三输出电路。所述第一输出电路由第一忆阻器M1和第一NMOS管T1所构成；所述第二输出电路由第二忆阻器M2、第三忆阻器M3、第二NMOS管T2、第三NMOS管T3所构成；所述第三输出电路由第四忆阻器M4、第五忆阻器M5、第四NMOS管T4、第五NMOS管T5所构成，形成了一个输入端和三个输出端的电路结构。本发明电路模型结构清晰简单、易于实现，对多值数字逻辑电路设计等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112818617A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011638894.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/327
Abstract: 本发明公开了一种基于三值忆阻器的数字或门实现方法。本发明设计了一个正向‑正向三值或门电路，一个反向‑正向三值或门电路，一个正向‑反向三值或门电路，一个反向‑反向三值或门电路，或门电路中的三值忆阻器为压控阈值型三值忆阻器。本发明结构清晰简单，易于实现。该门电路模型在多值数值逻辑运算，忆阻交叉阵列等诸多应用领域研究具有重要意义。
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