公开(公告)号：CN110146590A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910448606.4

申请日：2019-05-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 翁凯伦 ,  王志强 ,  康洁 ,  胡先意

IPC: G01N27/90

Abstract: 本发明公开了基于阵列式传感器的涡流无损检测装置，包括正弦波发生器、功率放大器、阵列式组合探头、信号调理模块与数据采集模块；所述正弦波发生器输出端连接在功率放大器上，功率放大器的输出端连接在阵列式组合探头上，阵列式组合探头采集的模拟电压信号经过信号调理模块与数据采集模块处理后显示出检测结果；本发明使用大线圈配合传感器阵列检测涡流，增大检测面积，减少了检测时间，提高了系统可靠性，避免了漏检与盲视；利用阵列式传感器敏感轴两两正交排列设计实现对试件裂纹三维检测功能，能够获得裂纹更详细的信息。

公开(公告)号：CN110416405A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910718854.6

申请日：2019-08-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 康洁 ,  翁凯伦 ,  王志强 ,  窦爱玉 ,  胡先意

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，涉及磁电子学技术领域，所述薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm且反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1，本发明在具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜的基础上，对自旋阀薄膜的各层厚度比例进行进一步优化，得到的新的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜相较于相同结构但未经优化的自旋阀薄膜磁的磁电阻率提高了2.2％以上，交换偏置场提高了500Oe以上。