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发明公开
平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN115117053A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210799050.5

申请日：2022-07-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 , 罗佳豪 , 曹菲 , 李兴冀 , 杨剑群

IPC: H01L27/02 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法，本发明在半导体功率器件的颈区金属电极下方设有集成二极管；在源(阳)极区域刻蚀一个深沟槽并形成金属电极；N+源区与P‑body区之间形成源极缓冲层。采用本发明的技术方案，可以大大提高了对重离子入射产生的电子‑空穴对的吸收效率，使寄生BJT难以导通；同时可降低器件内部电流密度，从而降低因电流热效应而产生的热量，能够在不牺牲基础电学特性的前提下显著提高器件的抗单粒子烧毁能力。

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