公开(公告)号：CN108736860A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810504737.5

申请日：2018-05-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王光义 ,  王亚波 ,  董玉姣

IPC: H03H11/48

Abstract: 本发明公开了一种荷控忆容器等效电路模型。该电路模型利用运算放大器和乘法器等器件构建了满足忆容器特性的电路模型，可应用于忆容器基础电路特性的研究，以及忆容器非线性电路的研究。根据忆容器的数学定义式 设计了忆容器二端口模拟电路模型，运算放大器U1用于实现了积分器功能、反相器功能、加法器功能，U2、U3、U4是实现信号相乘的功能。当输入正弦电流激励信号时，可以用示波器观察其特性，输出的电压信号与电荷信号的电压值之间满足紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构清晰，易于分析测量，可进行忆容器在基础电路中特性的研究，以及在非线性电路中的应用。

公开(公告)号：CN109684747B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201811610140.5

申请日：2018-12-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王光义 ,  王亚波 ,  王晓炜 ,  董玉姣

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373

Abstract: 本发明公开了一种对数型荷控忆容器等效电路模型。该电路模型利用运算放大器和乘法器等器件构建了满足忆容器特性的电路模型，可应用于忆容器基础电路特性的研究，以及忆容器非线性电路的研究。根据忆容器的数学定义式设计了忆容器二端口模拟电路模型，运算放大器U1用于实现了积分器功能、加法器功能、对数运算器功能，U2用于实现了反相器功能、U3是实现信号相乘的功能。当输入正弦电流激励信号时，可以用示波器观察其特性，输出的电压信号与电荷信号的电压值之间满足紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构清晰，易于分析测量，可进行忆容器在基础电路中特性的研究，以及在非线性电路中的应用。

公开(公告)号：CN109684747A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811610140.5

申请日：2018-12-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王光义 ,  王亚波 ,  王晓炜 ,  董玉姣

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036 ,  G06F17/5063

Abstract: 本发明公开了一种对数型荷控忆容器等效电路模型。该电路模型利用运算放大器和乘法器等器件构建了满足忆容器特性的电路模型，可应用于忆容器基础电路特性的研究，以及忆容器非线性电路的研究。根据忆容器的数学定义式设计了忆容器二端口模拟电路模型，运算放大器U1用于实现了积分器功能、加法器功能、对数运算器功能，U2用于实现了反相器功能、U3是实现信号相乘的功能。当输入正弦电流激励信号时，可以用示波器观察其特性，输出的电压信号与电荷信号的电压值之间满足紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构清晰，易于分析测量，可进行忆容器在基础电路中特性的研究，以及在非线性电路中的应用。