公开(公告)号：CN118480023A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410553016.9

申请日：2024-05-07

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陈芳 ,  钟家松 ,  闫佳星 ,  吴鹏程 ,  田轩瑀 ,  李亚男 ,  马鑫

IPC: C07D323/00 ,  C07F9/54 ,  C07C209/00 ,  C07C211/63 ,  C07C211/64 ,  C09K11/06 ,  C09K11/61

Abstract: 本发明公开了一种有机‑无机杂化铜卤化物的制备方法，包括步骤：称量铜卤化物、冠醚、及含有卤素的有机铵盐或含有卤素的有机膦盐；使所述三种物质发生反应；获得有机‑无机杂化铜卤化物。本发明通过在铜卤化物中同时引入有机阳离子和冠醚分子，获得了空气稳定性良好、更容易结晶、光学性能优异的有机‑无机杂化铜卤化物。这种材料可以应用于多种光电器件，包括显示器、白光LED、发光二极管、X射线探测器等。

公开(公告)号：CN113206166A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110457676.3

申请日：2021-04-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  张立龙 ,  郭浩民 ,  李亚男 ,  曹菲

IPC: H01L31/118 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明公开一种基于双转换层的沟槽型碳化硅中子探测器，包括由下至上依次设置的背面欧姆接触电极、N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层、正面欧姆接触电极，所述N‑型4H‑SiC外延层顶端等间距开设有若干沟槽，所述沟槽表面和所述N+型4H‑SiC衬底顶端均设置有P+掺杂区，所述沟槽内设置有双层转换层，所述双层转换层与所述P+掺杂区相接触。本发明能够实现在有限的沟槽深度内填充两种不同的转换材料，进一步的提升中子探测效率。