公开(公告)号：CN113151719B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202011517734.9

申请日：2020-12-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 苏昆朋 ,  张耀华 ,  霍德璇 ,  王海欧 ,  黄帅 ,  杨得鑫

IPC: C22C22/00 ,  C22C1/03 ,  C22F1/16 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  B22D7/00 ,  B22D11/06

Abstract: 本发明公开一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法。其成分为Mn50+xAl50‑x‑yInyCz，其中x＝0～4，y＝1～3，z＝0～3。本发明选择Mn、Al、In和C作为永磁合金的原料，他们不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且成本低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理；本发明采用高真空快淬工艺使晶粒显著细化，同时经过后续的热处理过程在晶界附近处析出的低熔点In单质可以钉扎畴壁，阻止畴壁的移动，从而有效的提高了合金的矫顽力；本发明综合了热处理、高真空快淬、热压和热变形等多种工艺，在保持较高的饱和磁化强度的条件下，实现了MnAl基永磁合金矫顽力的有效提高。

公开(公告)号：CN113151719A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011517734.9

申请日：2020-12-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 苏昆朋 ,  张耀华 ,  霍德璇 ,  王海欧 ,  黄帅 ,  杨得鑫

IPC: C22C22/00 ,  C22C1/03 ,  C22F1/16 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  B22D7/00 ,  B22D11/06

Abstract: 本发明公开一种无稀土MnAlIn永磁合金及其制备方法。其成分为Mn50+xAl50‑x‑yInyCz，其中x＝0～4，y＝1～3，z＝0～3。本发明选择Mn、Al、In和C作为永磁合金的原料，他们不仅具有优异的机械加工性能和良好的耐腐蚀性能，并且成本低廉，制备工艺简单，不需要用复杂的磁场处理；本发明采用高真空快淬工艺使晶粒显著细化，同时经过后续的热处理过程在晶界附近处析出的低熔点In单质可以钉扎畴壁，阻止畴壁的移动，从而有效的提高了合金的矫顽力；本发明综合了热处理、高真空快淬、热压和热变形等多种工艺，在保持较高的饱和磁化强度的条件下，实现了MnAl基永磁合金矫顽力的有效提高。