公开(公告)号：CN106784596A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611014740.6

申请日：2016-11-18

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 陆潇晓 ,  吴国龙 ,  熊琴琴 ,  秦海英 ,  季振国 ,  卿振军 ,  史月琴

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/139 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/0404 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/139 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开一种利用激光辐照原位制备无粘结剂石墨烯/SnO2复合电极的方法。本发明将氧化石墨烯和SnO2溶胶混合制成前驱体溶胶，并将溶胶均匀涂布在铜箔表面，置于真空干燥箱内烘干；根据前驱体向石墨烯/SnO2纳米复合材料转变的物性参数选择激光能量密度参考值，通过激光能量密度参考值选择激光器，设置激光工艺参数；采用激光器辐照扫描预制箔片，对转变产物的特征进行测试、分析，以获取最佳激光工艺参数，同时通保护气体以防止石墨烯氧化，达到原位生成石墨烯/SnO2纳米复合材料电极的目的。本发明克服了传统石墨烯/SnO2复合材料电极制备工艺中的原料浪费、产生大量废液、工艺流程复杂、需要额外添加粘结剂等缺陷。

公开(公告)号：CN106883389A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710158845.7

申请日：2017-03-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 史月琴 ,  季振国 ,  刘照星 ,  孔亚广 ,  陆潇晓 ,  卿振军

IPC: C08G61/12

CPC classification number: C08G61/124 ,  C08G61/123 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/143 ,  C08G2261/1452 ,  C08G2261/146 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/411 ,  C08G2261/412

Abstract: 本发明公开基于缺电子杂环主链的N‑型共轭聚电解质的合成方法。本发明方法解决了苯并噻二唑和苯并三唑等缺电子主链结构的非离子N‑型共轭聚合物的侧链官能团(即磺酸基、季铵基团和吡啶基团)不能完全转化为离子官能团的问题，实现了基于苯并噻二唑和苯并三唑等缺电子主链的共聚共轭聚电解质的合成。本发明方法制备得到的共轭聚电解质为N‑型，其光电性能表现为负溶剂化变色效应。