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公开(公告)号：CN107169253B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710589528.0
申请日：2017-07-19
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/36 , G06F30/367
摘要： 本发明公开了对数型忆容器等效模拟电路，本发明中电路模型利用运算放大器和乘法器等器件构建了满足指数型磁控忆容器特性的电路模型，可应用于忆容器基础电路特性的研究，以及忆容器非线性电路的研究。具体采用集成电路U1实现积分器、反向求和运算电路、对数运算电路、反相放大器等功能，集成电路U2和U3实现乘法器功能，当输入正弦激励信号时，可以用示波器观察其特性，电压信号与电荷信号的电压值之间满足“8”字形的紧致滞回曲线特性，且随信号频率的增加，其滞回旁瓣面积减小。该电路结构简单清晰，作为实际忆容器的仿真器，对忆感器的特性和应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108509672B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201810109299.2
申请日：2018-02-05
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/3323
摘要： 本发明公开了一种电压控制型忆容器的Simulink建模方法。本发明中的输入信号源模块经过4个常数模块、2个加法模块、3个减法模块、2个乘法模块、2个绝对值模块、2个增益模块和1个阶跃函数模块，得到系统状态变量x的导数的表达式，系统状态变量x的导数的表达式经过积分模块，得到系统状态变量x；忆容器的忆容值在数值上与系统的状态变量x相等，即得到忆容器的忆容值；输入信号源与忆容器的忆容值经过乘法模块得到忆容器的电荷量。本发明提出了一种实现忆容器特性的Simulink模型，用以模拟忆容器的电荷电压特性，替代实际忆容器进行实验和研究。
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公开(公告)号：CN108833073A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810340771.3
申请日：2018-04-17
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 本发明公开了一种基于忆容器和忆感器的混沌振荡器的等效电路模型。本发明包括集成运算放大器芯片U1，集成运算放大器芯片U2，乘法器U3，乘法器U4和乘法器U5；所述的集成运算放大器U1主要实现反向比例运算和积分运算；集成运算放大器U2主要实现求和运算和积分运算；乘法器U3、U4和U5实现两个信号的相乘运算；U1、U2采用LF347，U3、U4和U5采用AD633。该模型含有2个集成运算放大器芯片、3个乘法器，结构清晰简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN108833073B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810340771.3
申请日：2018-04-17
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 本发明公开了一种基于忆容器和忆感器的混沌振荡器的等效电路模型。本发明包括集成运算放大器芯片U1，集成运算放大器芯片U2，乘法器U3，乘法器U4和乘法器U5；所述的集成运算放大器U1主要实现反向比例运算和积分运算；集成运算放大器U2主要实现求和运算和积分运算；乘法器U3、U4和U5实现两个信号的相乘运算；U1、U2采用LF347，U3、U4和U5采用AD633。该模型含有2个集成运算放大器芯片、3个乘法器，结构清晰简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN108491567B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810109539.9
申请日：2018-02-05
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F30/367
摘要： 本发明公开了一种磁通控制型忆阻器的Simulink建模方法。本发明中的输入信号源模块经过4个常数模块、2个加法模块、3个减法模块、2个乘法模块、2个绝对值模块、2个增益模块和1个阶跃函数模块，得到系统状态变量x的导数的表达式；系统状态变量x的导数的表达式经过积分模块，得到系统状态变量x；忆阻器的忆导值，在数值上与系统的状态变量x的倒数相等，系统状态变量x经过倒数模块，得到忆阻器的忆导值；输入信号源与忆阻器的忆导值经过乘法模块得到忆阻器电流量。本发明提出了一种实现忆阻器特性的Simulink模型，用以模拟忆阻器的电压电流特性，替代实际忆阻器进行实验和研究。
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公开(公告)号：CN108599919A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810440916.7
申请日：2018-05-10
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/00
CPC分类号： H04L9/001 , H04L2209/12
摘要： 本发明公开了一种对数混沌系统的电路模型。本发明包括集成运算放大器芯片U1，集成运算放大器芯片U2，乘法器U3，乘法器U4；所述的集成运算放大器U1主要实现反向比例运算；集成运算放大器U2主要实现反相求和运算和积分运算；乘法器U3和U4实现两个信号的相乘运算；集成运算放大器U1、U2采用LF347，乘法器U3和U4采用AD633。该模型含有2个集成运算放大器芯片、3个乘法器，结构清晰简单、易于实现。
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公开(公告)号：CN108512644A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810139255.4
申请日：2018-02-11
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H04L9/00
摘要： 本发明公开了一种实现指数混沌系统特性的电路模型。本发明中的集成运算放大器U1用于实现反相比例运算，得到-y项和10y项。y与10y项经过乘法器U3得到y2项，再经过晶体管与集成运算放大器U2芯片中的运算放大器1、4构成的指数运算电路、反向求和运算和积分运算电路得到x项；将x项与z项加至乘法器U4，乘法器U4输出的0.1xz项与-y项加至集成运算放大器U2中的运算放大器2，通过反向求和运算和积分运算电路得到y项；将x与-y项加至乘法器U5，乘法器U5输出的-0.1xy项与z项加至集成运算放大器U2中的运算放大器3，通过反向求和运算和积分运算得到z项。本发明用于混沌系统电路设计、实验以及应用。
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公开(公告)号：CN108509672A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810109299.2
申请日：2018-02-05
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种电压控制型忆容器的Simulink建模方法。本发明中的输入信号源模块经过4个常数模块、2个加法模块、3个减法模块、2个乘法模块、2个绝对值模块、2个增益模块和1个阶跃函数模块，得到系统状态变量x的导数的表达式，系统状态变量x的导数的表达式经过积分模块，得到系统状态变量x；忆容器的忆容值在数值上与系统的状态变量x相等，即得到忆容器的忆容值；输入信号源与忆容器的忆容值经过乘法模块得到忆容器的电荷量。本发明提出了一种实现忆容器特性的Simulink模型，用以模拟忆容器的电荷电压特性，替代实际忆容器进行实验和研究。
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公开(公告)号：CN108491567A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810109539.9
申请日：2018-02-05
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种磁通控制型忆阻器的Simulink建模方法。本发明中的输入信号源模块经过4个常数模块、2个加法模块、3个减法模块、2个乘法模块、2个绝对值模块、2个增益模块和1个阶跃函数模块，得到系统状态变量x的导数的表达式；系统状态变量x的导数的表达式经过积分模块，得到系统状态变量x；忆阻器的忆导值，在数值上与系统的状态变量x的倒数相等，系统状态变量x经过倒数模块，得到忆阻器的忆导值；输入信号源与忆阻器的忆导值经过乘法模块得到忆阻器电流量。本发明提出了一种实现忆阻器特性的Simulink模型，用以模拟忆阻器的电压电流特性，替代实际忆阻器进行实验和研究。
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