公开(公告)号：CN117672965A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211007501.3

申请日：2022-08-22

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 王羽 ,  王丹 ,  刘嘉恒 ,  李红卫 ,  叶颖 ,  徐宁

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管的制备方法。所述制备方法包括：提供发光二极管整版，发光二极管整版包括基板、多个发光二极管芯片及胶水层，基板包括相互背离的第一表面和第二表面，多个发光二极管芯片按照预设位置贴设于基板的第一表面，胶水层将多个发光二极管芯片密封于基板的第一表面；将发光二极管整版置于切割台；胶水层朝向切割台，基板的第二表面背离切割台；采用切割刀对发光二极管整版进行切割，形成多个发光二极管。上述方法通过将基板所在的第二表面朝上，在切割整版的过程中，由于刀片先接触基板层，使得切割过程中刀片对于基板层进行打磨的部分更加靠近刀片的中部，以更好地减少甚至避免了由于刀片磨损产生的金属毛刺而带来的不良影响。

公开(公告)号：CN115274968A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211007475.4

申请日：2022-08-22

Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司

Inventor： 王羽 ,  王丹 ,  刘嘉恒 ,  李红卫 ,  叶颖 ,  徐宁

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、光电器件。所述半导体外延结构包括第一半导体层、有源层、抗静电层及第二半导体层。第一半导体层具有第一导电类型；有源层设于所述第一半导体层的一侧；抗静电层设于所述有源层背离所述第一半导体层的一侧，抗静电层包括AlN层及设于所述AlN层上的AlxInyGa1‑x‑yN(0≦x，y≦1)层；所述AlN层更靠近所述有源层设置；第二半导体层设于抗静电层背离所述有源层的一侧，所述第二导电层具有第二导电类型。上述半导体外延结构，抗静电层中的AlN层能够有效抑制有源层中电子溢流的同时，能够使抗静电层中形成二维空穴气，以促进结构内电荷的平衡分布，提升结构的静电耐受能力。