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公开(公告)号:CN105518182A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201380079187.2
申请日:2013-08-28
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 株式会社杰希优
CPC classification number: B05D5/00 , B05D3/0254 , B05D5/06 , B05D7/14 , C23C22/00 , C23C22/83 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C23C2222/10
Abstract: 本发明的形成黑色皮膜的车辆部件和/或连结用部件,其目的在于提供一种通过简单的工序可在镀锌部件上形成具有深黑色外观与高耐蚀性的皮膜的技术,其是通过将施有镀锌的金属基体表面,用以3价铬为有效成分的黑色化成处理剂进行处理而形成L值(明度)为33至30的黑色化成处理皮膜,接着,在该黑色化成处理皮膜上,涂布含有在热固性皮膜形成成分中为25-65质量%的量的黑色颜料与烷氧基硅烷低聚物的黑色涂料组合物,将其加热固化所得。
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公开(公告)号:CN105518182B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201380079187.2
申请日:2013-08-28
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 株式会社杰希优
CPC classification number: B05D5/00 , B05D3/0254 , B05D5/06 , B05D7/14 , C23C22/00 , C23C22/83 , C23C28/3225 , C23C28/345 , C23C2222/10
Abstract: 本发明的形成黑色皮膜的车辆部件和/或连结用部件,其目的在于提供一种通过简单的工序可在镀锌部件上形成具有深黑色外观与高耐蚀性的皮膜的技术,其是通过将施有镀锌的金属基体表面,用以3价铬为有效成分的黑色化成处理剂进行处理而形成L值(明度)为33至30的黑色化成处理皮膜,接着,在该黑色化成处理皮膜上,涂布含有在热固性皮膜形成成分中为25‑65质量%的量的黑色颜料与烷氧基硅烷低聚物的黑色涂料组合物,将其加热固化所得。
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公开(公告)号:CN110256955A
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201910495663.8
申请日:2013-06-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C09D183/04 , C08G77/04
Abstract: 本发明的目的在于,提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物,提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法,(其中,R1~R10分别独立地为碳原子数1~4的烷基或羟烷基,X1~X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团,n为0或1,n为0时m为1~3的整数,n为1时m为1)(其中,A为碳原子数2~4的分支或未分支的亚烷基,1为1~3的整数)。
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公开(公告)号:CN108463576A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201680078732.X
申请日:2016-01-29
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C23C18/18 , H01L21/288
CPC classification number: C23C18/18 , H01L21/288
Abstract: 本发明提供无论基板的种类如何均能够以少的工序在基板上的期望部位进行金属镀敷而形成电路的新的方法。一种在基板上形成电路的方法,其特征在于,包括如下工序:通过镀敷在基板上进行电路的形成时,在基板上施加含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜后,进行涂布覆膜中的催化剂金属的活化处理而使其表现出自催化性,接下来进行无电解镀敷。
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公开(公告)号:CN105339372A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201380077750.2
申请日:2013-06-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07F7/04 , C08G77/02 , C09D183/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物,提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法,(其中,R1~R10分别独立地为碳原子数1~4的烷基或羟烷基,X1~X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团,n为0或1,n为0时m为1~3的整数,n为1时m为1)(其中,A为碳原子数2~4的分支或未分支的亚烷基,l为1~3的整数)。
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公开(公告)号:CN110256955B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201910495663.8
申请日:2013-06-28
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C09D183/04 , C08G77/04
Abstract: 本发明的目的在于,提供具有以往的水与四烷氧基硅烷的缩合物所不具有的新型功能的硅低聚物,提供下述通式(I)所表示的硅低聚物及其制造方法,(其中,R1~R10分别独立地为碳原子数1~4的烷基或羟烷基,X1~X3分别独立地为下述通式(II)所表示的基团,n为0或1,n为0时m为1~3的整数,n为1时m为1)(其中,A为碳原子数2~4的分支或未分支的亚烷基,1为1~3的整数)。
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公开(公告)号:CN106471001B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201580034265.6
申请日:2015-07-31
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: C07F7/04 , C08G77/08 , C08G77/60 , C08G79/00 , C09D5/24 , C09D183/06 , C09D201/00 , C23C18/18
Abstract: 本发明的目的是提供一种不管基材种类为何均可镀敷的新颖技术。该技术是在催化剂金属存在下,使四烷氧基硅烷与至少在n、n+1位或n、n+2位(其中,n为1以上的整数)上键合有羟基的多元醇进行缩合反应而获得的含催化剂金属的有机硅低聚物及利用包含其的涂覆剂的镀敷方法。
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公开(公告)号:CN108463576B
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201680078732.X
申请日:2016-01-29
Applicant: 株式会社杰希优
IPC: H01L21/288
Abstract: 本发明提供无论基板的种类如何均能够以少的工序在基板上的期望部位进行金属镀敷而形成电路的新的方法。一种在基板上形成电路的方法,其特征在于,包括如下工序:通过镀敷在基板上进行电路的形成时,在基板上施加含有硅低聚物和催化剂金属的涂布覆膜后,进行涂布覆膜中的催化剂金属的活化处理而使其表现出自催化性,接下来进行无电解镀敷。
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